上海
SK海力士在2025年SK AI峰會上公布了其DRAM內存和NAND閃存的長期發展規劃，提及了DDR6內存要在2029年到2031年間才會登場，同期還有GDDR7-Next顯存以及PCIe 7.0 SSD，他們公布的產品線路圖涵蓋了HBM、DRAM和NAND，有面向傳統市場的標準產品以及面向人工智能市場的衍生產品，下面我們一起來看看他們的線路圖。
在2026至2028年，SK海力士計劃推出16層堆疊的HBM 4以及8層、12層和16層堆疊的HBM4E，還有定制款的HBM4E。在傳統DRAM市場會生產LPDDR6內存，面向AI市場的有LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND方面，他們計劃推出容量高達245TB以上采用QLC閃存的PCIe 5.0 SSD，企業級與消費級的PCIe 6.0 SSD，以及面向移動設備的UFS 5.0閃存，面向AI市場有專用的高密度NAND。
在2029至2031年，SK海力士計劃推出HBM5、HBM5E以及其定制版本，這些定制設計將包括控制器和協議IP在內的更多邏輯集成到芯片內部，從而釋放GPU或ASIC芯片面積并降低接口功耗。
DRAM市場方面，線路圖上出現了GDDR7-Next，并不是GDDR8，所以應該是GDDR7的升級版，目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，而標準的上限是48Gbps，還有很大潛力可以挖掘，也說明顯卡廠商準備把GDDR7用到那個時候。而DDR6和3D DRAM也出現在這個時間段內，說明目前主流PC和服務器在2029年后才會從DDR5過渡到DDR6。
NAND方面，線路圖列出了2029至2031年會有PCIe 7.0的消費級和企業級SSD，UFS 6.0以及400層以上堆疊的4D NAND，還有面向AI市場的高性能以及高帶寬AI-N產品。
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