SK海力士2026-2031年HBM路線圖，來了！

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2029~2031年，SK海力士將會推出HBM5、HBM5E等標準解決方案。

11月3日，在韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，韓國存儲芯片大廠SK 海力士（SK hynix）CEO Kwak Noh-Jung 正式宣布轉(zhuǎn)型“全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，并公布了公司最新的產(chǎn)品路線圖。

在2026~2028 年的近期，SK海力士將會推出HBM4 16Hi 和 HBM4E 8/12/16Hi等標準解決方案，還有為客戶定制的 HBM 解決方案。其中，定制化HBM通過將原有系統(tǒng)半導(dǎo)體的部分功能轉(zhuǎn)移至HBM基底芯片，實現(xiàn)最符合客戶需求的數(shù)據(jù)處理性能。

在DRAM方面，SK海力士除了將推出LPDDR6標準解決方案外，還將推出全新的AI-DRAM解決方案，包括2026年左右推出的LPDDR6X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R，以及2028年左右推出支持第二代CXL標準的LPDDR6-PIM。

在NAND方面，SK海力士將會推出PCIe Gen6 eSSD（245TB+QLC）/ cSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0等標準解決方案，還會推出全新的面向 AI NAND的 AI-N D（Density）解決方案。

對于2029~2031 年的中期，SK海力士將會推出HBM5、HBM5E等標準解決方案，還有為客戶定制的 HBM5和HBM5E解決方案。

在DRAM方面，SK海力士將會推出 GDDR7-next、DDR6、3D DRAM等標準解決方案；需要指出的是，目前GDDR7的速率為30-32Gbps，三星是第一個為英偉達的RTX 50和RTX50 PRO Blackwell GPU提供GDDR7 DRAM的公司，幾個月后美光和SK海力士也加入了這一行列。不過，GDDR7最高傳輸速率是48Gbps，預(yù)計該標準至少要到2027年至2028年才能得到充分利用；DDR6則預(yù)計是在2029-2031年商用；至于3D DRAM，則有點類似HBM，不過成本更低。

SK海力士還將會推出面向AI的AI DRAM產(chǎn)品，包括2029年左右推出的LPDDR6 SOCAMM2 、Al-D Expansion，以及2030年左右推出的第三代CXL標準的PIM-next。

在NAND方面，SK海力士將會推出PCIe Gen7 eSSD/cSSD、UFS6.0、400層以上堆疊的4D NAND等標準解決方案，以及面向AI的AI-N P（Performance）和AI-N B（Bandwidth）解決方案（比如HBF）。

根據(jù)此前韓國科學技術(shù)研究院（KAIST）內(nèi)存系統(tǒng)實驗室和 TERA 互連與封裝團隊展示的高帶寬內(nèi)存（HBM）從 HBM4 到 HBM8 的前瞻性路線圖。

HBM4：計劃于2026 年推出，是 HBM 技術(shù)邁入模塊化架構(gòu)的起點。其 I/O 數(shù)量達 2048，數(shù)據(jù)速率為 8Gbps，總帶寬突破 2TB/s。堆疊層數(shù)擴展至 12 或 16 層，單顆容量提升至 24Gb，整顆模塊可達 36 至 48GB。此階段引入定制化基底芯片，將 NMC 處理器與 LPDDR 控制器集成其中，系統(tǒng)級內(nèi)存容量可提升 40%。

HBM5：預(yù)計2029 年問世，重點轉(zhuǎn)向 “計算靠近內(nèi)存” 的 3D 異構(gòu)架構(gòu)。它保留 8Gbps 速率，通過將 TSV 數(shù)量擴展至 4096 通道，帶寬提升至 4TB/s，容量升至 80GB。實現(xiàn)了 3D 近內(nèi)存計算（NMC），處理器核心與 L2 緩存 die 堆疊于 DRAM 之上，可顯著提升 GEMM 類任務(wù)的算術(shù)強度，對于內(nèi)存受限場景能實現(xiàn) 3 倍性能增益。

HBM6：將于2032 年推出，數(shù)據(jù)速率提升至 16Gbps，帶寬躍升至 8TB/s，容量達 96 至 120GB。結(jié)構(gòu)上采用 “四塔結(jié)構(gòu)” 整合四個堆疊單元，在硅中介層上與 GPU 形成寬帶連接，可使 LLM 推理吞吐量相較 HBM4 提升超過一倍。同時引入硅 - 玻璃混合中介層，以解決硅中介層在尺寸與成本上的限制。此外，還內(nèi)嵌 L3 緩存，可有效減少 HBM 訪問量 73%，整體能耗降低 40%。

HBM7：預(yù)計2035 年推出，以內(nèi)存 - 存儲一體化為目標，構(gòu)建由 HBM 與高帶寬閃存（HBF）聯(lián)合構(gòu)成的異構(gòu)存儲網(wǎng)絡(luò)體系。數(shù)據(jù)速率進一步提升至 24Gbps，總帶寬達 24TB/s，單顆模塊容量上探至 192GB，I/O 數(shù)量增至 8192 通道。通過堆疊 128 層 NAND 閃存構(gòu)成 HBF，與 HBM 間通過高帶寬 H2F 鏈路連接，形成 17.6TB 容量的分層存儲架構(gòu)。

HBM8：將于2038 年問世，以 “全 3D 集成” 和 “內(nèi)存中心計算” 為核心理念。數(shù)據(jù)速率攀升至 32Gbps，總帶寬高達 64TB/s，模塊容量擴展至 240GB，I/O 數(shù)量倍增至 16384 通道。將 GPU 堆疊至 HBM 之上，計算延遲下降 50%，還將矩陣運算的執(zhí)行路徑直接移入 HBM 模塊，令牌生成速率提升近 7 倍。

如此來看，SK海力士的路線圖與KAIST所展示的路線圖規(guī)劃相契合，屆時冷卻可能會成關(guān)鍵競爭因素。目前 HBM4 使用的液冷方法（將冷卻液施加到封裝頂部的散熱器上）在未來將面臨局限性。為此，HBM5 結(jié)構(gòu)預(yù)計將采用浸沒式冷卻，將基座芯片和整個封裝都浸入冷卻液中。

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