三星和SK海力士將內存價格上調30%

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

這波內存半導體超級周期預計要比以往的更加持久和強勁。

據報道，AI驅動的內存半導體超級周期預計會比過去的繁榮時期更加持久和強勁，由于對人工智能服務器的大量投資、通用服務器內存的替換，以及對設備上人工智能需求的增加，供應短缺的情況可能會持續3到4年。

三星電子、SK海力士等主要內存供應商將在今年第四季度向客戶調整報價，DRAM和NAND閃存價格上調幅度將高達30%，以滿足AI驅動的存儲芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。花旗和摩根士丹利等全球投行預計DRAM平均售價（ASP）將上漲25-26%。

這種需求的激增是由像谷歌、微軟、亞馬遜、Meta和OpenAI這樣的科技巨頭推動的，它們向AI數據中心投入了數萬億到數千億韓元的資金，這推動了高性能DRAM，如HBM（高帶寬內存）的需求。預計到2030年，HBM市場的規模將增長兩倍，達到1000億美元。盈利能力也在增加，即將推出的HBM4（第六代）價格比HBM3E高出60%。由于HBM的生產復雜性，供應限制預計明年將惡化。

此外，隨著AI趨勢轉向推理應用，通用型DRAM的需求也在增長，因為它相比HBM提供了更低的功耗和更快速的數據處理速度。像英偉達這樣的公司正在專注于高級內存技術，如GDDR7和LPDDR5X，以用于人工智能加速器。DRAM和NAND閃存的價格上漲預計將持續到2026年，花旗預計DRAM ASP將同比上漲37%，NAND閃存將同比上漲39%。

報道稱，由于擔心DRAM短缺，幾家領先的國際電子和服務器公司正在囤積內存，并與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長期供應協議，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統形成鮮明對照。

現貨市場加價趨勢明顯

調研機構TrendForce的報告也印證了這一點，內存現貨市場正經歷一輪迅猛的漲價潮。由于買家為對沖未來漲價風險而積極備貨，DRAM 和 NAND閃存現貨市場加價趨勢明顯，各類容量的晶圓價格普遍上漲，市場看漲情緒濃厚。

在 DRAM 現貨市場，交易勢頭持續增強。盡管消費電子產品的終端需求并未顯著復蘇，但市場普遍預期價格將持續大幅上漲。因此，買家為維持安全庫存水平而積極備貨，這種避險需求顯著提升了 DDR4 和 DDR5 產品的成交量。

受此影響，持有庫存的模組廠也開始惜售，從而進一步快速推高價格。主流 DDR4 芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格已從上周的7.219美元漲至7.931美元，周環比漲幅高達9.86%。

NAND 閃存現貨市場的漲勢更為猛烈。由于供應商持續上調報價，本周各容量晶圓的平均價格漲幅達到了 15% 至 20%。供應端目前普遍采取惜售和控貨策略，報價大多集中在高位，市場上的低價貨源幾乎消失。盡管買家積極提高目標價求購，但由于供應有限，實際成交量仍然不高。

具體來看，512Gb 和 1Tb TLC 晶圓的價格上漲最為明顯。其中，512Gb TLC 晶圓的現貨價格本周飆升 27.96%，達到 4.576 美元。當前，市場普遍認為 2025 年第四季度價格仍有上漲空間。

Q4價格預計延續漲勢

在NAND方面，TrendForce觀察到由于消費市場需求提前在上半年被透支，下半年旺季未能如預期發揮效應，市場原本普遍預估4Q25價格將進入盤整。然而，HDD供給短缺與過長交期，使CSP(云端服務供應商)將儲存需求快速轉向QLC Enterprise SSD，短期內急單大量涌入，造成市場明顯波動。同時，SanDisk(閃迪)率先宣布調漲10%，Micron(美光)也因價格與產能配置考量暫停報價，使得供應端氛圍由保守轉為積極。在此外溢效應帶動下，預估NAND Flash第四季各類產品合約價將全面上漲，平均漲幅達5-10%。

從供給面來看，NAND Flash受惠于上半年減產與優先去化庫存，市場供需平衡明顯改善，原廠庫存與價格壓力同步緩解。除幾家大廠規劃于明年啟動新廠投產外，其余廠商資本支出多集中于先進制程升級，以優化單位成本結構，并將產能聚焦于高毛利產品，減少價格競爭以提升利潤，形成價格支撐。產品面上，QLC因具成本優勢而廣泛應用于SSD，特別是生成式AI對海量數據儲存需求推升，使各大原廠更加著重于QLC產能布局。

就需求面來看，NAND Flash下半年受消費力道走弱、OEM采購趨緩，渠道端亦存在大量成機庫存待去化影響。不過，由于Server OEM及CSP業者上半年積極清理庫存，加上NVIDIA(英偉達)新一代Blackwell芯片于2H25進入放量出貨階段，疊加HDD供給吃緊，帶動Enterprise SSD需求大幅攀升。此消彼長下，NAND Flash整體需求仍維持正向發展。

在DRAM方面，TrendForce最新調查顯示，由于三大DRAM原廠持續優先分配先進制程產能給高階Server DRAM和HBM，排擠PC、Mobile和Consumer應用的產能，同時受各終端產品需求分化影響，第四季舊制程DRAM價格漲幅依舊可觀，新世代產品漲勢相對溫和。預估整體一般型DRAM (Conventional DRAM)價格將季增8-13%，若加計HBM，漲幅將擴大至13-18%。

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