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韓國產業媒體THE ELEC稱，三星電子在近期財報電話會上表示，其面向人工智能加速器的高帶寬記憶體 HBM 產能已被客戶預訂至明年，需求遠超過三星原先的供應規劃，三星正在檢視并擴大相關產能以應對訂單壓力。
此前，三星在第三季度財報中披露，半導體部門業績顯著回升，并確認將把更多資源投向高級記憶體產品線以滿足 AI 基礎設施的需求增長，同時，三星管理層表示即便考慮到既有擴產計劃，客戶對 HBM 的預訂仍可能超過可供產能，同時三星正與 Nvidia 就下一代 HBM4 芯片的供貨進行密切磋商，并已向客戶提供樣品以完成測試，目標在明年把 HBM4 投入市場。
由于人工智能的興起，Nvidia 等大型 AI 芯片廠商正拉動 HBM 需求擴張，此類大客戶的預訂會迅速占用大量產能，從而引發短期緊缺，這種供需失衡已對產業鏈的價格產生巨大影響，隨著廠商將產能轉向高附加值的 HBM 產品，主流 DDR5/普通 DRAM 的有效供給被壓縮，導致近期記憶體報價顯著上揚，這種結構性供需緊張將至少延續到 2026 年上半年，驅動廠商加速擴產計劃。
除了三星之外，SK hynix 也已將多項記憶體產能售罄，全球主要 HBM 與 DRAM 生產商均面臨產能不足問題，并將大幅上調其相關產品售價。
而手機使用的UFS（基于 NAND Flash）和 LPDDR（基于 DRAM）等產品，雖然不使用HBM技術，但 AI 加速器與數據中心對 HBM / 高端 DRAM 的超預訂、搶占式采購，直接擠占了先進晶圓產能與封裝/測試資源。
廠商把產線優先分配給高附加值的 HBM 與服務器 DRAM 時，普通移動 DRAM（LPDDR）與 NAND 的供給就會在短期被壓緊，導致整體 DRAM 產能趨緊并推升報價；同時這些產品在封測、測試設備、產線排期上也存在交叉，當高利潤的 AI 相關訂單占用優先資源時，手機用的存儲與內存的出貨節奏與成本也會被影響，進而在合約層面推高 LPDDR5X 與 UFS 報價。
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