2026年，DRAM怎么走？

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

DRAM市場(chǎng)的HBM比例將從2023年的8%擴(kuò)大到2025年的33%。

全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)盛會(huì)——“存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)的未來”（FMS）于2025年8月5日至8月7日（美國時(shí)間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行。FMS包含主題演講、綜合講座、展覽等內(nèi)容。

近日，主題演講視頻及常規(guī)演講的PPT已在FMS官網(wǎng)發(fā)布。TrendForce資深副總裁Arvil Wu 的演講題目是“探索未來：DRAM市場(chǎng)與技術(shù)展望”。他具體預(yù)測(cè)了2026年DRAM市場(chǎng)和技術(shù)的趨勢(shì)。

HBM 在 DRAM 市場(chǎng)的份額快速增長(zhǎng)

HBM（市場(chǎng)）增長(zhǎng)將由AI驅(qū)動(dòng)。根據(jù)列出結(jié)論的幻燈片，DRAM市場(chǎng)（價(jià)值基礎(chǔ)）的HBM比例將從2023年的8%擴(kuò)大到2025年的33%。

Wu在另一張幻燈片中還解釋了HBM占比的趨勢(shì)。他將DRAM市場(chǎng)劃分為銷售額（銷售額）和內(nèi)存容量（位當(dāng)量出貨量）。他估計(jì)，到2024年，HBM產(chǎn)品將占DRAM市場(chǎng)的19%（銷售額）與5%（位當(dāng)量出貨量）。這表明HBM產(chǎn)品的每比特成本將顯著高于所有DRAM產(chǎn)品的平均每比特成本。

預(yù)計(jì)2025年HBM占銷售額比重將提升至33%，位當(dāng)量出貨量比重將提升至8%。2026年，HBM占銷售額比重將進(jìn)一步擴(kuò)大至41%，位當(dāng)量出貨量比重將提升至9%。

全球 DRAM 市場(chǎng) HBM 產(chǎn)品銷售額及位當(dāng)量出貨量占比（2024-2026）

幾乎所有HBM產(chǎn)品都用于AI（人工智能）。具體來說，HBM產(chǎn)品用作AI芯片模塊的主存儲(chǔ)器。英偉達(dá)、AWS（亞馬遜）、谷歌和AMD這四家自主研發(fā)AI芯片的公司占據(jù)了HBM需求的95%。

2025 年的主流產(chǎn)品將是 HBM3E（HBM3e）。一些 AI 芯片公司將使用 HBM3 或 HBM2E（HBM2e）。2026 年的主流產(chǎn)品仍將是 HBM3E（HBM3e）。不過，堆疊的 DRAM 芯片（核心芯片）數(shù)量將從 8 個(gè)增加到 12 個(gè)。HBM3 和 HBM2E（HBM2e）也將消失。取而代之的是使用 HBM4 代數(shù)的 AI 芯片。NVIDIA 在 HBM4 代數(shù)方面處于領(lǐng)先地位。

四大AI芯片廠商HBM需求占比及HBM代際趨勢(shì)（2025-2026）

DDR5 6400MT/s 將成為主流

三大 DRAM 制造商 SK 海力士、三星電子和美光科技自 2025 年起都將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向 HBM 產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步加劇。SK 海力士預(yù)計(jì)，到 2026 年，HBM 晶圓加工量將占其所有產(chǎn)品晶圓加工量的最大比重。

DRAM供應(yīng)商將進(jìn)一步改進(jìn)其制造工藝，并逐步停止使用傳統(tǒng)制造工藝的產(chǎn)品出貨。對(duì)于DDR5代16Gbit DRAM，三大供應(yīng)商正在加緊在2025年至2026年間量產(chǎn)“1b/1beta代”和“1c/1gamma代”。數(shù)據(jù)傳輸速度為 6400MT/s 的 DDR5 代產(chǎn)品將在 2025 年成為主流產(chǎn)品，速度為 7200MT/s 至 8800MT/s 的更高速型號(hào)計(jì)劃于 2026 年下半年開始量產(chǎn)。

2025年，HBM和DDR系統(tǒng)的DRAM價(jià)格均上漲或持平。然而，到2026年上半年，隨著產(chǎn)能配置重回DDR系統(tǒng)，維持價(jià)格的能力將會(huì)減弱。此外，即使是HBM系統(tǒng)，隨著量產(chǎn)技術(shù)的日益成熟，HBM3E代產(chǎn)品的制造成本下降，人們也擔(dān)心2026年初價(jià)格將會(huì)下跌。

據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子、SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商，將在今年第四季度繼續(xù)向客戶調(diào)整報(bào)價(jià)。幅度上，包括DRAM和NAND在內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格將上調(diào)高達(dá)30%，從而順應(yīng)AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)芯片需求激增趨勢(shì)。

整體而言，本輪漲價(jià)幅度略高于預(yù)期。早在9月下旬，三星電子便已發(fā)出第四季度提價(jià)通知，當(dāng)時(shí)的計(jì)劃是將部分DRAM價(jià)格上調(diào)15%至30%，NAND閃存價(jià)格上調(diào)5%至10%。而回到當(dāng)下，根據(jù)花旗集團(tuán)和摩根士丹利在其半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告中所預(yù)測(cè)，第四季度DRAM平均售價(jià)將上漲25-26%，比上一季度上漲10%以上，漲價(jià)熱潮或進(jìn)一步加劇。

需要承認(rèn)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正加速邁入“超級(jí)周期”幾乎已成為市場(chǎng)不爭(zhēng)的共識(shí)。如存儲(chǔ)模組大廠威剛董事長(zhǎng)陳立白判斷，第四季度僅僅是存儲(chǔ)嚴(yán)重缺貨的起點(diǎn)，明年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)處于供貨吃緊狀態(tài)。

對(duì)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)趨緊的預(yù)判則進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)的囤貨行為。另據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于擔(dān)心DRAM短缺，幾家領(lǐng)先的國際電子和服務(wù)器公司正在囤積內(nèi)存，并與三星和SK海力士洽談簽訂2至3年長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，與以往按季度或年度簽訂合同的傳統(tǒng)形成鮮明對(duì)照。

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