大摩：2026將是AI科技硬件之年

本文作者：董靜

來源：硬AI

摩根士丹利預測，2026年將成為AI科技硬件迎來爆發(fā)式增長的關(guān)鍵之年，主要受AI服務(wù)器硬件需求強勁增長驅(qū)動。

11月3日，據(jù)硬AI消息，摩根士丹利在最新研報中稱，AI服務(wù)器硬件正在經(jīng)歷一場由GPU和ASIC驅(qū)動的重大設(shè)計升級。英偉達即將推出的GB300、Vera Rubin平臺和Kyber架構(gòu)，以及AMD的Helios服務(wù)器機架項目，都將帶來更高的計算能力和機柜密度。

大摩在報告中強調(diào)，隨著英偉達的Vera Rubin平臺在2026年下半年推出，機柜需求預計將從2025年的約2.8萬臺激增至2026年的至少6萬臺。更重要的是，為了支持更高功耗的GPU，電源解決方案的價值到2027年可能增長超過10倍，而液冷散熱方案因成為標配，其單機柜價值也將持續(xù)攀升。此外，PCB/基板、高速互聯(lián)等部件亦將迎來重大規(guī)格升級。

這意味著，整個AI服務(wù)器硬件供應(yīng)鏈的價值正在被重估。該行對多家AI硬件供應(yīng)鏈公司維持積極評級，認為新一代AI服務(wù)器設(shè)計升級將為相關(guān)廠商帶來豐厚收益。

AI服務(wù)器機架需求爆發(fā)式增長

大摩在報告中明確指出，AI硬件的增長動力正從H100/H200時代，轉(zhuǎn)向由NVIDIA的GB200/300（Blackwell平臺）及后續(xù)的Vera Rubin（VR系列）平臺所驅(qū)動的新周期。

根據(jù)英偉達的產(chǎn)品路線圖，其GPU的功耗和性能正在經(jīng)歷跳躍式升級。

從H100的700W TDP，到B200的1,000W，再到GB200的1,200W，直至2026年下半年登場的Vera Rubin（VR200）平臺，其GPU最大TDP將飆升至2,300W，而2027年的VR300（Kyber架構(gòu)）更是高達3,600W。

（英偉達產(chǎn)品路線圖）

大摩認為，這種算力密度的提升，直接推動了服務(wù)器機柜從設(shè)計到組件的全面革新。

大摩預測，僅英偉達平臺，AI服務(wù)器機柜的需求就將從2025年的約2.8萬臺，在2026年躍升至至少6萬臺，實現(xiàn)超過一倍的增長。與此同時，AMD的Helios服務(wù)器機架項目（基于MI400系列）也獲得了良好進展，進一步加劇了市場對先進AI硬件的需求

報告強調(diào)，隨著機柜設(shè)計從單個GPU升級轉(zhuǎn)向整個機架系統(tǒng)（Rack）的集成設(shè)計，擁有強大整合能力和穩(wěn)定交付記錄的ODM廠商，如廣達（Quanta）、富士康（Foxconn）、緯創(chuàng)（Wistron）和緯穎（Wiwynn），將在GB200/300機柜供應(yīng)中占據(jù)主導地位

功耗與散熱瓶頸，引爆電源與液冷方案價值

報告最引人注目的觀點之一，是AI硬件升級帶來的功耗和散熱挑戰(zhàn)，正轉(zhuǎn)化為電源和冷卻供應(yīng)商的巨大商機。這被視為本輪升級中價值增長最快的環(huán)節(jié)之一。

在電源方面， 隨著單機柜總功耗的急劇增加，傳統(tǒng)的電源架構(gòu)已難以為繼。

報告預測，電源架構(gòu)將向800V高壓直流（HVDC） 方案過渡。這一轉(zhuǎn)變將極大提升電源解決方案的價值含量。

大摩預計，到2027年，為Rubin Ultra機柜（采用Kyber架構(gòu)）設(shè)計的電源解決方案，其單機柜價值將是當前GB200服務(wù)器機柜的10倍以上。同時，到2027年，AI服務(wù)器機柜中每瓦功耗對應(yīng)的電源方案價值，也將比現(xiàn)階段翻倍。

在散熱方面， 液冷已從備選方案變?yōu)楸匦杵贰蟾嬷赋觯S著GB300平臺TDP突破1,400W，液冷成為標準配置。這直接推高了散熱組件的價值。具體數(shù)據(jù)顯示：

一個GB300（NVL72）機柜的散熱組件總價值約為49,860美元。而到了下一代Vera Rubin（NVL144）平臺，由于計算托盤和交換機托盤的散熱需求進一步提升，單機柜的散熱組件總價值將增長17%，達到55,710美元。其中，為交換機托盤設(shè)計的散熱模組價值增幅高達67%。

大摩稱，這清晰地表明，液冷產(chǎn)業(yè)鏈中的冷板模組、冷卻風扇、快速連接器（NVQD）等關(guān)鍵部件供應(yīng)商將直接受益。

價值鏈全面升級，PCB/基板與高速互連水漲船高

除了電源和散熱，報告同樣強調(diào)了AI平臺升級對印刷電路板（PCB）和各類互聯(lián)組件的深遠影響。每一次GPU迭代，都伴隨著對PCB層數(shù)、材料等級和尺寸的更高要求。

根據(jù)大摩整理的英偉達 GPU演進路線圖：

ABF載板：層數(shù)從H100的12層（12L）增加到Blackwell（B200）的14層，再到Vera Rubin（VR200）的18層，尺寸也相應(yīng)增大。
OAM（OCP加速器模塊）主板：PCB規(guī)格從H100的18層HDI（高密度互連），升級至GB200/300的22層HDI，并可能在VR200上達到26層HDI。
CCL（覆銅板）材料：正在從超低損耗（Ultra low-loss, M7）向極低損耗（Extreme low-loss, M8）等級遷移，以滿足更高的數(shù)據(jù)傳輸速率要求。

大摩認為，這些技術(shù)細節(jié)的升級，意味著PCB板的制造工藝更復雜、價值更高。對高層數(shù)HDI板和高等級CCL材料的需求增加，將為具備相應(yīng)技術(shù)實力的PCB和上游材料供應(yīng)商帶來結(jié)構(gòu)性增長機遇。

報告中明確指出，AI GPU和ASIC服務(wù)器的設(shè)計升級將有力支撐PCB/載板行業(yè)的產(chǎn)能擴張浪潮。

同時，大摩稱，數(shù)據(jù)和電源互連方案也在升級，以匹配更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和容量需求