存儲芯片，開啟“黃金時代”

日前，摩根士丹利研報指出，AI驅(qū)動下存儲行業(yè)供需失衡加劇，預計將開啟持續(xù)數(shù)年的“超級周期”，到2027年全球存儲市場規(guī)模有望向3000億美元邁進，存儲芯片行業(yè)或正迎來新一輪產(chǎn)業(yè)周期的起點。

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存儲芯片，開啟超級周期

存儲芯片周期性顯著強于其他半導體細分領(lǐng)域，近 13 年呈現(xiàn) 3-4 年一輪的周期規(guī)律，當前正處于第四輪周期。

回顧前三輪：2012-2015 年由智能機換機潮驅(qū)動，后因擴產(chǎn)供過于求下行；2016-2019 年受益 3D NAND 產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、DDR4 迭代及手機游戲需求，DRAM 等產(chǎn)品價格漲幅超 100%，后續(xù)受 PC / 服務器需求疲軟調(diào)整；2020-2023 年疫情催生遠程辦公與數(shù)據(jù)中心需求，存儲先漲后因需求疲軟、產(chǎn)能過剩下跌超 50%。

2024 年至今，AI 算力基建與 HBM 技術(shù)革命成為新引擎，改寫傳統(tǒng)周期邏輯。第四輪周期中，存儲需求不再依賴個人消費端，企業(yè)級 AI 資本開支成為重要支撐，驅(qū)動 HBM、DDR4/DDR5 及企業(yè)級 SSD 等市場大規(guī)模增長。

在此趨勢下，三星、SK 海力士等行業(yè)龍頭開啟新一輪爭奪戰(zhàn)，業(yè)績迎來空前高增。

10月14日，三星公布的初步財報顯示，Q3營業(yè)利潤為12.1萬億韓元，同比增長31.81%，環(huán)比大增158.55%，大超預期。三星單季營業(yè)利潤歷經(jīng)5個季度，再次回升至10萬億韓元以上，也創(chuàng)下自2022年第二季度（14.1萬億韓元）以來的最高記錄。

三季度銷售額為86萬億韓元，同比增長8.72%，環(huán)比增長15.33%，創(chuàng)下歷史新高。三星將于本月晚些時候公布包含凈利潤和部門明細項目的完整財報。

SK海力士Q3運營利潤首次突破10萬億韓元大關(guān)，達到11.38萬億韓元，同比激增62%；營收24.45萬億韓元，同比增長39%；凈利潤12.598萬億韓元，三項核心指標均刷新歷史紀錄。

HBM業(yè)務成為驅(qū)動業(yè)績增長的核心引擎。財報披露，12層堆疊的HBM3E及服務器DDR5等高端產(chǎn)品貢獻了主要收入增量，推動公司毛利率攀升至57%。

據(jù)悉，三星與SK海力士近日已通知客戶：2025 年第四季度合同或現(xiàn)貨價格將調(diào)高至約 30% 的幅度，涉及DRAM 與 NAND Flash 產(chǎn)品。

隨著云服務器、AI 模型訓練及推理需求的疊加，DRAM 與 NAND 的供需格局正在發(fā)生改變。多家國際電子與服務器廠商據(jù)稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中長期供貨協(xié)議，以鎖定未來資源、避免價格波動風險。

DRAM價格攀升的部分原因在于產(chǎn)能受到HBM的擠壓。據(jù)報道援引美光首席商務官Sumit Sadhana的言論，HBM消耗的晶圓產(chǎn)能是標準DRAM的三倍以上。由于利潤豐厚，內(nèi)存制造商有充分的動力優(yōu)先生產(chǎn)HBM。

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SK海力士，連續(xù)三季度蟬聯(lián)DRAM市場榜首

在過去兩個季度中：2025年Q1，SK 海力士首次打破三星電子自1992年以來的長期壟斷，以36.9%的市占率登頂 DRAM 全球榜首，終結(jié)了三星長達 33 年的霸主地位。這一里程碑式的突破，標志著 DRAM 市場格局正式進入雙雄爭霸的全新階段。

Q1三星市占率降至 34.4%，SK 海力士憑借 2.5 個百分點的優(yōu)勢實現(xiàn)首次超越。

Q2 競爭差距進一步拉大，SK 海力士市占率飆升至 39.5%，而三星市占率續(xù)跌至 33.3%，兩者差距擴大至 6.2 個百分點。

隨著SK海力士Q3財報的公布，新一季度DRAM王座競賽也已經(jīng)有了答案。

根據(jù)Counterpoint Research 的《存儲市場追蹤報告》，2025年Q3，SK 海力士的 DRAM 營收環(huán)比增長11%，同比增長54%，以35%的營收份額連續(xù)第三個季度穩(wěn)居全球 DRAM 市場第一。在HBM和通用 DRAM強勁表現(xiàn)的推動下，公司本季度的 DRAM 營收也創(chuàng)下了歷史新高。

三星電子以34%的市場份額位居第二，營收環(huán)比增長29%、同比增長24%，與 SK 海力士之間的差距較去年縮小了5個百分點。

雖然本季度 SK 海力士在整體存儲市場上被三星電子反超，但在 HBM 和通用 DRAM 強勁需求的支持下，公司繼續(xù)領(lǐng)跑 DRAM 市場。在 HBM 市場，SK 海力士以58%的市場份額繼續(xù)占據(jù)主導地位。HBM 在其第三季度 DRAM 總銷售額中占比高達40%。此外，公司也預計將順利按照客戶需求推進 HBM4 產(chǎn)品的交付。在通用 DRAM 領(lǐng)域，需求回升與價格上漲也為公司業(yè)績提供了有力支撐。

Counterpoint Research 分析師 Jeongku Choi表示：“隨著 AI 存儲需求保持高位，SK 海力士有望在Q4延續(xù)之前的強勁表現(xiàn)。公司在 HBM4 研發(fā)中積極響應客戶需求，并在良率表現(xiàn)方面依舊處于行業(yè)領(lǐng)先水平。”

SK海力士已與核心客戶完成HBM4的供應談判，計劃于第四季度啟動量產(chǎn)出貨。三星計劃在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技術(shù)展覽會上亮相其第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計劃今年晚些時候進入量產(chǎn)階段。

分析師分析預計12層HBM4產(chǎn)品的售價為每片500美元，較目前約300美元的12層HBM3e價格高出60%以上。

SK海力士的財報也指出，已完成與主要客戶關(guān)于2026年HBM供應的全部談判，并計劃在2025年四季度開始出貨次世代HBM4產(chǎn)品，2026年進行全面銷售。

更為關(guān)鍵的是，SK海力士已鎖定2026年所有DRAM和NAND產(chǎn)能的客戶需求，預計2026年DRAM出貨量將同比增長超20%，并預測HBM供應緊張將持續(xù)至2027年。

但競爭態(tài)勢正在發(fā)生微妙變化。美光已向英偉達供應部分HBM產(chǎn)品，而三星電子上月通過了英偉達針對先進HBM產(chǎn)品的資格測試。Counterpoint Research研究總監(jiān)MS Hwang警告：“SK海力士要持續(xù)盈利，保持和增強競爭優(yōu)勢將至關(guān)重要。”

在后續(xù) DRAM 市場的技術(shù)競賽中，這些存儲巨頭均鉚足了力。

03

存儲龍頭，上High NA EUV了

High NA EUV 是一項關(guān)鍵技術(shù)，它開啟了半導體產(chǎn)業(yè)的下一章。

這并非對High NA EUV 光刻機的吹捧，是當前芯片制造的現(xiàn)狀。對于存儲行業(yè)來說亦是如此。

High NA EUV光刻機是下一代芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)，與傳統(tǒng)EUV相比，它能提供1.7倍更精細的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度，光學精度提升了40%。

這對于生產(chǎn)密度更高、更節(jié)能、性能更強大的2nm代工芯片以及先進存儲產(chǎn)品（如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4）至關(guān)重要。

本月，市場消息稱三星電子正加速押注DRAM 領(lǐng)域，從 ASML購入 5 臺全新 High-NA EUV 光刻機，其中2 臺將部署在三星半導體代工事業(yè)部，其余設備則專供存儲事業(yè)部。

此前，三星曾在京畿道園區(qū)引進過一臺用于研發(fā)的High-NA EUV 設備，此次引進的機器將用于“產(chǎn)品量產(chǎn)”，對于三星來說尚屬首次。

上個月，SK海力士也剛剛宣布，已將業(yè)界首款量產(chǎn)型High NA EUV引進韓國利川M16工廠。

不過當前引進的High NA EUV多用于研發(fā)、試生產(chǎn)，并非當前一代產(chǎn)品就會使用High NA EUV生產(chǎn)。

在探究這兩大存儲龍頭何時用上High NA EUV，要從當前市場的競逐熱點1c DRAM說起。

2024年8月，SK海力士就曾宣布成功開發(fā)全球首款第六代10nm等級1c制程DDR5 DRAM，是1b平臺的延伸，生產(chǎn)效率更高，運行速度、性能方面顯著改進。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也將采用此制程。

10nm級的DRAM已經(jīng)開始引入了EUV光刻技術(shù)，但通常只有很少的關(guān)鍵層數(shù)應用，絕大部分依然是DUV光刻。

今年8月，SK海力士又將其1c制程DRAM制造，首次升級到了6層EUV光刻，這將有助于提升產(chǎn)品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內(nèi)存以及更高容量的HBM堆棧。

市場消息稱，SK海力士的 1c DRAM 已經(jīng)實現(xiàn)了 80%-90% 的良率，預計將會在 1d 和 0a DRAM 等下一代產(chǎn)品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進的High NA EUV奠定基礎(chǔ)。

三星電子在第六代10nm 1c DRAM制程的開發(fā)上遭遇了挑戰(zhàn)，導致預計完成時間持續(xù)推遲。據(jù)悉，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率僅有約 50%，不過三星將會在哪一代產(chǎn)品中使用EUV光刻機尚不清晰。

另一家存儲龍頭美光方面，尚未使用 High NA EUV。美光在 2025 年推出了采用全新 1γ（1-gamma）制造工藝的 16Gb DDR5 設備，該工藝是美光首次采用 EUV 光刻技術(shù)的工藝。但美光采用的是將 EUV 與多重圖案化 DUV 技術(shù)結(jié)合的方式，僅對關(guān)鍵金屬層使用 EUV 光刻，其余層仍采用深紫外光（DUV）多重曝光技術(shù)。

不過對于 DRAM 的后續(xù)演進，美光似乎有自己的想法。

美光，另辟蹊徑？

隨著與三星電子和SK海力士的競爭日益激烈，美光科技正在加速其10納米以下DRAM工藝路線圖的推進。

據(jù)悉，美光正在評估兩條潛在的路線圖。一條路線遵循常規(guī)順序，從目前的第七代 (1d) 10nm 工藝發(fā)展到大約 10.1nm 的第八代 (1e)。另一條路線則更具雄心，它完全跳過 1e 步驟，直接過渡到真正的 9nm DRAM 工藝。

在 DRAM 制造中，更窄的線寬可帶來更高的密度和性能。10nm 級工藝已歷經(jīng)數(shù)代演進——1x、1y、1z、1a、1b 和 1c——每一代都實現(xiàn)了更精細的微縮。最新的商業(yè)化節(jié)點 1c 尺寸約為 11.2nm。

一位業(yè)內(nèi)人士指出，關(guān)鍵變量在于美光公司能將其1d節(jié)點縮小多少。如果1d線寬保持在10.9納米左右，那么它可能需要先引入10.1納米的1e工藝，然后再進一步降低。但如果1d達到約10.2納米，美光公司就有可能跳過1e工藝，直接進入9納米級別，這將是一次意義重大的技術(shù)飛躍。

據(jù)報道，三星計劃直接從其1d節(jié)點轉(zhuǎn)向9nm（0a）DRAM工藝，而SK海力士預計將采取類似的快速發(fā)展戰(zhàn)略。隨著這兩家韓國競爭對手加快9nm工藝的開發(fā)，美光公司正在調(diào)整其路線圖以保持競爭力。

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存儲兩龍頭，還搭上了OpenAI

日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協(xié)議，宣布作為核心合作伙伴，參與全球人工智能基礎(chǔ)設施項目Stargate。

Stargate是OpenAI價值5000億美元的數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設施項目，計劃為OpenAI的ChatGPT建設20個專注于AI的數(shù)據(jù)中心。目標是在2029年前投入運營。OpenAI正與軟銀和甲骨文在該項目上開展合作。

此外，OpenAI還正與三星和SK海力士合作在韓國建設兩個數(shù)據(jù)中心，初始容量為20兆瓦。

未來一段時間，三星和SK海力士將擴大內(nèi)存芯片產(chǎn)量，目標是每月90萬片DRAM晶圓。OpenAI沒有說明這是標準DRAM還是專用HBM。不過，KED Global媒體稱這是用于HBM的。

因為OpenAI 的 “Stargate” 計劃要承載下一代千億參數(shù)大模型，每秒需處理數(shù)千萬次數(shù)據(jù)交互，傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存數(shù)百 GB/s 的帶寬早已捉襟見肘，而三星與 SK 海力士主打的 HBM（高帶寬內(nèi)存）恰好補上短板 ——HBM3E 的帶寬可達 3.35TB/s，能讓 GPU 集群效率提升 30%，延遲降低 20%。

據(jù)了解，Stargate訂單可能還包括服務器DRAM、圖形DRAM，甚至SSD。

KED Global表示，每月90萬片晶圓是當前全球產(chǎn)能的兩倍。據(jù)了解，SK海力士目前每月運營16萬片DRAM和HBM晶圓。這意味著三星和SK海力士都必須建設新的HBM工廠。連鎖反應可能是它們會減少DRAM生產(chǎn)，因為DRAM不如HBM盈利。