清華校友執掌MIT初創公司，有望將AI數據中心能效提升30%

當地時間 10 月 15 日，美國麻省理工學院的垂直氮化鎵芯片衍生公司 Vertical Semiconductor 獲得 1,100 萬美元的種子輪融資，清華大學蘇世民學院校友、前英國駐華大使館氣候變化與環境事務副主任 Cynthia Liao 是該公司的聯合創始人兼 CEO。

她在自己的領英主頁寫道：“（此次融資將被）用于為下一個 AI 計算時代構建基礎電力。AI 發展正在超越當今的電力系統。因此，我們正在構建下一代產品，包括高密度、高效率、高壓垂直的氮化鎵電力電子設備。”她還寫道：“我們正在共同地重新定義未來幾十年的電力輸送。重新思考電力傳輸對于解鎖下一代計算至關重要。隨著 AI 數據中心向兆瓦級機架發展，瓶頸不再是計算，而是功率。將能量從電網轉移到 GPU 的基礎設施無法再跟上時代步伐。（而）Vertical Semiconductor 將帶來未來 AI 所需的電力傳輸。”

（來源：https://www.linkedin.com/in/cynthia-liao-61180856/d）

據了解，該公司首次推出了垂直氮化鎵功率轉換技術，旨在大幅減少熱量、縮小電源系統占用空間，以及降低 AI 基礎設施的能源成本。這一方法由該公司聯合創始人、麻省理工學院教授托馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）團隊研發而來，并由帕拉西奧斯的學生、同為該公司聯合創始人的喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）主力開發。

（來源：https://www.reuters.com/business/energy/mit-spinout）

垂直氮化鎵晶體管的獨特優勢：能將能量轉換推向更靠近芯片的位置

垂直氮化鎵功率轉換技術可以將更多晶體管塞進一個芯片，并能支持更高的電壓。這種設計允許電流流過晶體管的更多部分，從而提升其性能。垂直氮化鎵晶體管還擁有較好的熱管理能力，因此可以支持更高的密度。與橫向設計相比，垂直結構能夠實現更好的散熱，同時還能更有效地應對電涌，其利用一種名為“雪崩”的自我保護機制，能夠幫助晶體管在電壓尖峰期間繼續工作。該公司的垂直氮化鎵技術可以將能量轉換推向更加靠近芯片的位置，使其能以更少的能量和更少的熱量進行更多計算，它不僅可以減少能量損失，還能減少由于電涌導致的突然關機，同時讓數據中心的運行溫度更低，并能將功耗降低一半。

據了解，該公司的垂直氮化鎵晶體管通過將能量轉換推向更靠近芯片的位置，從而能夠降低功耗和發熱量，這對于驅動未來的計算至關重要。其技術可以減少能量損耗、降低發熱量并簡化基礎設施，能將效率提高 30%，并能使 AI 數據中心的功耗降低 50%。該公司的晶體管基于帕拉西奧斯教授在麻省理工學院的團隊在過去十年間的一系列研究成果，這些成果使用了氮化鎵材料，故能比硅材料帶來更高的效率以及更高的功率密度。結合新穎的垂直架構，Vertical Semiconductor 的技術能夠更容易、更快速、更高效地將電源傳輸給芯片。

（來源：https://www.verticalsemi.com/）

“極端材料”氮化鎵：十幾年前便被美國能源部“盯上”

事實上，氮化鎵是一種“極端材料”，它所能承受的電壓是硅的 10 倍之多，因此氮化鎵也是新型電力電子設備富有潛力的候選材料。早在 2013 年，美國能源部就宣布成立一個耗資 1.4 億美元的研究機構，聚焦于研究電力電子技術，其中大約一半資金被用于氮化鎵研究。當時，美國能源部在相關聲明文件中引用了一項研究，該研究表明在照明領域和電力電子領域使用氮化鎵可以將全球能源消耗降低 25%。

Vertical Semiconductor 公司也在官網寫道，氮化鎵是固態電力電子領域的明確發展方向，它具有更高的帶隙因此可以提高效率，具有更高的頻率因此可以提高功率密度，具有 40V-2.3kV 的可調電壓，還具有冷卻器動力系統因此擁有更低的熱阻。橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管難以突破 700V，而該公司的垂直氮化鎵基于可拓展的平臺能夠應對更高電壓之下的應用。氮化鎵有著更出色的開關頻率，能夠允許更加緊湊的系統設計，從而為電力輸送帶來幫助。氮化鎵晶體管還有著較高的效率，開關速度更快，并且可以在比傳統硅晶體管更高的溫度和電壓之下工作，這使得它在電力電子、電動汽車和電信等領域非常具有應用前景。

雖然此前已經存在標準型氮化鎵晶體管，但是該公司的垂直技術革新了這一概念，并設計出了基于氮化鎵的芯片，其中的晶體管采用垂直堆疊而非橫向堆疊的方式。盡管氮化鎵在性能上強于硅，但是它的儲量遠遠沒有硅那么豐富，價格也沒有硅那么親民，正因此帕拉西奧斯早在十多年前就開始在麻省理工學院研究如何將氮化鎵電路集成到硅芯片之中，以便讓硅能夠處理普通的信號切換。

目前，該公司已經使用標準硅互補金屬氧化物半導體（CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）半導體制造工藝在 8 英寸晶圓上演示了這一技術，演示結果顯示能夠實現與現有工藝技術的無縫集成。與此同時，該公司已準備在 100V 至 1.2KV 的器件上進行實際部署。屆時，這將解決困擾該行業多年的難題，即通過可拓展、可制造的解決方案提供高壓、高效的電力電子設備。

（來源：https://www.verticalsemi.com/）

氮化鎵能為 AI 帶來什么？

那么，氮化鎵和 AI 的具體關系是什么？眾所周知，AI 工作負載的激增給 AI 數據中心帶來了巨大壓力。在美國，電力輸送已經成為 AI 發展的關鍵瓶頸。在美國，有的 AI 數據中心的耗電量與一整個城市的耗電量相當。在將發電站的高電壓轉換為微芯片所需要的低電壓的時候，大部分電力都只會產生熱量。這些電力并沒有用于 AI 計算任務，而是變成了熱量。因此，不僅要提高效率，還要通過大規模改寫數據中心的電力輸送方式。

該公司的 CEO Cynthia Liao 告訴媒體，垂直氮化鎵晶體管正是當前的 AI 數據中心所需要的。由于電力輸送瓶頸導致數據中心一直面臨壓力，而此前的芯片設計無法提供足夠的功率來維持更先進的 AI 工作負載，但這正是該公司希望提供幫助的地方。其技術不僅能夠提高效率，還能通過大規模改寫數據中心的電力輸送方式來推動下一波創新。

資料顯示，Cynthia Liao 本科畢業于加拿大西安大略大學，后在清華大學蘇世民學院獲得國際/全球碩士學位，以及擁有麻省理工學院斯隆管理學院的工商管理碩士學位。目前，她擔任該公司的 CEO 兼聯合創始人。Cynthia Liao 主要負責公司經營，公司技術則主要基于另兩位聯合創始人的研究成果。

聯合創始人托馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）目前在麻省理工學院擔任全職教授，他擁有美國加州大學圣芭芭拉分校博士學位和西班牙馬德里理工大學學士學位，盡管他是該公司的聯合創始人但只擔任兼職。自 2006 年以來，他一直在努力突破微電子技術的極限，他和麻省理工學院的團隊成員曾兩次獲得 IEEE George Smith 最佳論文獎，一次是表彰他和團隊發明的三柵極氮化鎵晶體管，另一次是表彰他和團隊發明的垂直 FinFET 功率器件。此外，他和團隊還曾創下氮化鎵晶體管的最高工作頻率紀錄，并曾打造了當時領域內的首個 MoS? 電子電路。

帕拉西奧斯的學生喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）是該公司的 CTO 兼聯合創始人，早年其本科畢業于美國伊利諾伊大學香檳分校，碩士和博士畢業于麻省理工學院。此前他先后于 2016 年和 2017 年發表過題為《采用不同緩沖層配置的 200 毫米硅（111）襯底上的 AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管結構研究》和《研究 200 毫米 Si（111）襯底上 AlGaN / GaN 高電子遷移率晶體管的結構、光學和電學特性》的論文。

圖 | 喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）（來源：https://www.linkedin.com/in/josh-perozek-05a02ba5/）

如前所述，該公司此次融資 1,100 萬美元，旨在為 AI 芯片和數據中心提供新一代電源，本次融資由 Playground Global 領投，其他投資者包括 JIMCO Technology Ventures、milemark?capital 和 Shin-Etsu Chemical。Cynthia Liao 告訴媒體：“我們確實相信我們提供了一個引人注目的下一代解決方案，它不僅僅是幾個百分點的提升，而是一個逐步的轉變。”目前，該公司正在開發產品原型，預計在 2025 年底開始對首批原型封裝設備進行早期取樣，并將在 2026 年推出完全集成的解決方案。

參考資料：

公司官網 https://www.verticalsemi.com/

Cynthia Liao 的領英主頁 https://www.linkedin.com/in/cynthia-liao-61180856/details/education/

馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）的個人主頁 https://www.tpalacios.mit.edu/

喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）的個人主頁 https://www.linkedin.com/in/josh-perozek-05a02ba5/

公司官方博客 https://www.verticalsemi.com/news/vertical-semiconductor-raises-11-million-to-deliver-the-next-wave-of-power-for-ai-chips-and-data-centers

https://siliconangle.com/2025/10/15/mit-spinoff-vertical-semiconductor-gets-11m-build-power-efficient-ai-chips/

https://www.semiconductor-digest.com/vertical-semiconductor-raises-11-million-to-deliver-the-next-wave-of-power-for-ai-chips-and-data-centers/

https://www.startuphub.ai/ai-news/funding-round/2025/vertical-semiconductor-raises-11m-to-build-power-efficient-ai-chips-platform/

https://www.reuters.com/business/energy/mit-spinout-vertical-semiconductor-raises-11-million-ai-power-chip-tech-2025-10-15/

https://news.mit.edu/2013/faculty-profile-tomas-palacios-0703

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