存儲芯片“超級周期”已至！漲價潮助推板塊爆發，多股強勢封板

10月16日，A股存儲芯片、半導體板塊延續近期強勢，盤中再度集體沖高。截至發稿，盡管板塊整體漲幅有所回落，但仍保持活躍態勢。

個股方面，云漢芯城強勢封住20CM漲停，香農芯創漲近16%，三孚股份、德明利、睿能科技等多股漲停，開普云、江波龍等個股跟漲。

自9月初以來，該板塊累計漲幅已近20%，若從4月9日年內低點計算，累計漲幅接近69%，展現出強勁的上漲動能。

產業鏈價格持續上漲

受海外巨頭產能戰略性收縮、AI算力需求爆發等因素驅動，全球存儲芯片行業正步入一輪供需關系逆轉的“超級周期”。

為了將產能向高附加值的HBM（高帶寬內存）傾斜，三星、美光、SK海力士等國際大廠自今年4月起，陸續削減DDR4等傳統產品產能，直接導致DDR4、LPDDR5等成熟制程產品出現顯著供應缺口。

盡管三星與SK海力士近期已將DDR4生產計劃延長至2026年以應對市場需求，但整體供給緊張局面仍未緩解。

持續的供不應求推動存儲芯片價格進入全面上漲通道。閃迪率先宣布產品價格上調10%以上，美光隨后向渠道發出20%–30%的漲價通知。三星近日亦向大客戶更新第四季度LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM產品協議價，預計漲幅達15%–30%。

需求側的爆發則是此輪周期的核心驅動力。AI算力需求的爆發催生了HBM的“記憶剛需”，而美國國家級AI基礎設施計劃“星際之門”的推進則進一步放大了這一需求。

業內估計，僅OpenAI相關需求就可能達到每月90萬片晶圓，約為當前全球HBM總產能的兩倍。10月初，三星與SK海力士雙雙宣布將為“星際之門”供應HBM芯片，意味著HBM需求未來將進入爆發階段。

美光科技CEO指出，預計全球存儲芯片（尤其HBM）供需失衡態勢將持續加劇，因為DRAM庫存已低于目標水平，NAND庫存亦持續下降。同時，明年HBM產能已基本鎖定，需求增長顯著，2026年HBM出貨量增速預計超整體DRAM，成存儲板塊核心增長動力。

此外，TrendForce集邦咨詢指出，由于三大DRAM原廠持續優先分配先進制程產能給高階ServerDRAM和HBM，排擠PC、Mobile和Consumer應用的產能，同時受各終端產品需求分化影響，第四季舊制程DRAM價格漲幅依舊可觀，新世代產品漲勢相對溫和。預計第四季度一般型DRAM價格將環比上漲8–13%，計入HBM后整體漲幅將擴大至13–18%。

摩根士丹利更是認為，在人工智能熱潮下，存儲芯片行業預計迎來一個“超級周期”。預計今年第四季度，動態隨機存取存儲器DRAM的價格將環比上漲約9%。

國內存儲芯片企業迎來機遇

當前，全球存儲芯片格局正經歷深刻變革。

隨著三星、美光等國際大廠將DDR4等成熟制程產能轉向高附加值的HBM領域，全球市場出現顯著供給缺口，為國內存儲芯片企業承接溢出需求提供了重要機遇。

與此同時，在HBM產業鏈關鍵環節，國內企業正逐步實現突破。盡管尚未完成HBM產品的自主量產，但在封裝材料、特種氣體、測試接口及電源管理芯片等配套領域，已有部分國內供應商通過技術突破，成功切入全球高端供應鏈體系。

這意味著海外AI算力需求的爆發有望通過產業鏈傳導，直接轉化為對國內配套企業的實質性訂單。

展望后市，德邦證券研報認為，存儲芯片于2024年開啟新上行周期，核心受益于AI基建帶來的需求增長。前兩輪周期本質更多依托消費端發力，而本輪存儲芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續性可能更強。

TrendForce集邦咨詢指出，進入2026年，三星、海力士、美光三大存儲巨頭預計均會持續快速將產能升級至先進制程，同時減少成熟制程的產能比重。對國內公司而言，將有更多機會在國內云服務商中爭取供應份額，或在全球范圍內的成熟制程產品爭取供應份額。