拆解數十款大功率快充，鎵未來氮化鎵已經大量出貨

前言

鎵未來作為實現全功率范圍氮化鎵器件的量產的半導體功率器件企業，旗下產品具有易于使用、可靠性高、性能參數領先等優點，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產品。目前鎵未來旗下多款氮化鎵器件被小米、安克、聯想、DJI、LG等多領域廠商采用。究竟是何種魅力讓鎵未來芯片備受業界知名品牌青睞，下文中小編將為您詳細介紹。

鎵未來氮化鎵在快充、筆電適配器中的應用

目前，鎵未來針對PD快充市場推出多款650~700V高壓氮化鎵，導阻覆蓋70~480mΩ，目前已經打入多家一線知名品牌數十款產品供應鏈。

鎵未來G1N65R070PD-H

鎵未來G1N65R070PD-H是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻70mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。鎵未來G1N65R070PD-H采用XDFN8x8-8L封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。

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鎵未來G1N65R092TA-H

鎵未來G1N65R092TA-H是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，標稱導阻92mΩ，采用TO-220封裝。

應用案例：

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鎵未來G1N65R150PB-H

鎵未來G1N65R150PB-H，是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻150mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。鎵未來G1N65R150PB-H采用PQFN8x8封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。

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鎵未來G1N65R150PB-N

鎵未來G1N65R150PB-N，是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻150mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。鎵未來G1N65R150PB-N采用PQFN8x8封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。

應用案例：

1、拆解報告：LG 90W USB-C氮化鎵快充充電器

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鎵未來G1N65R240PB

鎵未來G1N65R240PB是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻240mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。采用PQFN8*8封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。

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鎵未來G2N70R150PD-H

鎵未來G2N70R150PD-H是一顆耐壓700V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻150mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計。采用HDFN8×8-8L封裝。

應用案例：

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鎵未來G2N70R150TA-H

鎵未來G2N70R150TA-H是一顆耐壓700V，峰值耐壓800V的氮化鎵開關管，導阻為150mΩ。器件具有堅固的柵極，能夠簡化柵極驅動設計，提供最佳的性能和杰出的可靠性。鎵未來G2N70R150TA-H適用于硬開關橋式電路，比如連續電流模式圖騰柱無橋PFC或逆變器、（雙向）帶同步整流HVDC Buck降壓電路或Boost升壓電路，還適用于高頻高效率移相全橋、LLC或其他軟開關拓撲，采用TO-220-3L封裝。

應用案例：

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鎵未來G2N70R240PB-H

鎵未來G2N70R240PB-H是一顆耐壓700V、導阻240mΩ的氮化鎵器件，柵極支持20V驅動電壓，適用于QR或ACF反激拓撲、圖騰柱PFC、逆變器和LLC等軟開關應用，采用PQFN8*8封裝。

應用案例：

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鎵未來G2N70R480PC-LS

鎵未來G2N70R480PC-LS是一顆耐壓700V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻480mΩ，柵極耐壓支持±20V，采用DFN5*6-8L封裝。G2N70系列場效應晶體管是一款混合型常關氮化鎵（GaN）功率器件，具備全球寬禁帶半導體中最穩健的柵極結構與最低的反向壓降。該系列器件支持簡易柵極驅動方案，提供業界領先的性能表現與卓越的可靠性保障。

應用案例：

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充電頭網總結

鎵未來旗下氮化鎵器件憑借高耐壓、低導阻、高可靠性等優勢，被小米、安克、聯想、DJI、LG等多領域知名品牌廣泛應用于各類電源產品中。這些產品涵蓋了USB-C PD快充小功率到大功率的全功率范圍，并通過采用鎵未來的氮化鎵器件，實現了更高的能效和更小的體積，為電源產品提供了多元化的解決方案，推動了電源行業向高性能、便攜化方向發展。