氮化鎵助力800VDC架構落地，英偉達再次引領AI計算新時代

前言

隨著AI領域的迅猛發展，AI數據中心規模呈現指數級增長，GPU機柜的功率需求正在迅速增長，傳統的54V直流電力架構面臨著巨大的挑戰。高電流需求使得對導線材質、線徑和電源架的要求不斷增加，且單單銅線的使用導致了數據中心空間的巨大占用。根據英偉達的數據顯示，若依然使用54V架構，1MW級別的服務器僅電源系統便需要占據64U的空間，為AI數據中心的規模擴張帶來了一定難題。

英偉達提出800VDC架構藍圖

為解決上述難題，英偉達已經提出800VDC架構藍圖，且將多家企業納入合作供應鏈，聯合推動800VDC電源架構建設。英諾賽科成為該電源架構的合作伙伴之一，也是本次入選合作伙伴中唯一中國芯片企業。

（英諾賽科與意法半導體的800V轉54V方案，OCP2025）

在今年10月的OCP全球峰會上，英諾賽科與意法半導體共同展示了他們的800V轉54V電源解決方案，這是本次峰會上唯一展出的供應商方案。

英諾賽科氮化鎵助推英偉達構建800VDC架構

800VDC架構的核心目標是實現高頻、高效和高功率密度的電源轉換。而傳統硅基器件因存在諸多劣勢，在高功率密度場景下效率較低。而氮化鎵作為第三代半導體核心材料，憑借其自身優勢，成為800 VDC架構的理想載體。英偉達本次選擇與英諾賽科達成合作，力求借助雙方的優勢，共同開拓800 VDC架構高的廣闊前景。

在800VDC架構架構中，電源分為三級轉換，確保系統的高效性和緊湊性。第一級是從800V-54V的隔離DC/DC轉換，第二級別是54V-12V板級DC/DC電源轉換，第三級是12V-0.8V GPU供電。

該架構的第二和第三級為滿足效率需求，分別需要采用100V和30V氮化鎵器件，其可有效提升系統頻率，降低被動器件體積，推動電力供應架構向更高效、更緊湊的方向發展。

而英諾賽科是目前市場唯一一家能全面量產中高低壓氮化鎵的功率器件廠商，因此成為本次與英偉達合作構筑800VDC架構的關鍵。英諾賽科擁有自主研發的8英寸GaN-on-Si量產線，良率超95%，產能與成本競爭力強勁。其第三代GaN器件效率高達98.5%，適配15~1200V全電壓場景，實現低中高壓DC-DC全覆蓋，為英偉達Kyber機架提供端到端800 VDC氮化鎵電源，將800V高壓直流架構由藍圖推向行業標準，助力數據中心能耗降20~30%、減碳千萬噸、空間省40%，開啟新一輪AI算力爆發周期，是助推英偉達800 VDC架構落地的核心合作伙伴。

充電頭網總結

英偉達推動的800VDC架構藍圖標志著AI數據中心領域的重要突破，800VDC架構以其高效率、低損耗、節省空間的優勢，成為應對挑戰的理想方案。此外，英偉達和英諾賽科在該架構的合作直接展示了800VDC架構的潛力，在提升AI數據中心系統性能、降低能耗方面的擁有巨大潛力。預計該架構的廣泛應用將推動AI算力的指數級增長，同時為AI數據中心帶來更低的能耗和更高的空間利用率，助力行業實現綠色低碳發展。

充電頭網了解到，英諾賽科是全球氮化鎵工藝創新與功率器件制造領導者。英諾賽科的器件設計與性能樹立了全球氮化鎵技術標桿，持續迭代創新的企業文化將加速氮化鎵性能提升與市場普及。公司的氮化鎵產品廣泛應用于低壓、中壓和高壓產品領域，涵蓋了從15V至1200V的氮化鎵工藝節點。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路（IC）以及模組產品為客戶提供了強勁可靠的氮化鎵（GaN）解決方案。憑借800項已授權及申請中的專利布局，英諾賽科產品以高可靠性、性能與功能優勢，服務于消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源及工業電源領域，開創氮化鎵技術的光明未來。