FMS 2025：HBM爆發(fā)，DDR漲價(jià)

本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

2026年DRAM市場(chǎng)規(guī)模將接近1500億美元，其中HBM DRAM占比約為31%，份額將翻一番。

全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)盛會(huì)——“存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)的未來(lái)”（FMS）于2025年8月5日至8月7日（美國(guó)時(shí)間）在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉舉行。FMS包含主題演講、綜合講座、展覽等內(nèi)容。

分析師 Jim Handy 以其對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和閃存的獨(dú)特見(jiàn)解而聞名。他的演講題目是“存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)：現(xiàn)狀與未來(lái)預(yù)測(cè)”。他演講的環(huán)節(jié)名為“BMKT-101-1：市場(chǎng)分析師小組”，據(jù) FMS 節(jié)目報(bào)道，共有五位分析師參與。Handy 是僅有的兩位公開(kāi)發(fā)布演講幻燈片的分析師之一。

講座的提綱（目錄）涵蓋了“DRAM和HBM”、“NAND Flash和SSD”、“AI”、“CXL”、“Chiplet”、“全球議題”等廣泛主題。

Jim Handy將實(shí)際和預(yù)測(cè)的 DRAM 市場(chǎng)（全球市場(chǎng)、價(jià)值）分為 DDR 和 HBM 類型。他預(yù)計(jì) 2024 年 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將略高于 1000 億美元，其中大部分（略高于 85%）是 DDR DRAM。HBM DRAM 占比較小（略低于 15%）。預(yù)計(jì) DDR 市場(chǎng)也將比 2023 年大幅增長(zhǎng)。然而，預(yù)計(jì) 2025 年和 2026 年 DDR 市場(chǎng)將幾乎沒(méi)有增長(zhǎng)。相反，HBM DRAM 預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。2026 年 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模將接近 1500 億美元，其中 HBM DRAM 占比約為 31%，份額將翻一番。DDR DRAM 的份額將下降至約 69%。

全球 DRAM 市場(chǎng)（DDR 和 HBM）表現(xiàn)及預(yù)測(cè)。橫軸代表年份，縱軸代表金額（單位：十億美元）。HBM 市場(chǎng)將從 2025 年起大幅增長(zhǎng)。

數(shù)據(jù)中心投資將從 2023 年底開(kāi)始大幅增長(zhǎng)

接下來(lái)是各大云服務(wù)公司在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心（DRAM 的主要應(yīng)用領(lǐng)域）的投資額（有形固定資產(chǎn)）的季度趨勢(shì)。涵蓋的時(shí)間范圍為四年半，從 2021 年第一季度到 2025 年第二季度。納入的服務(wù)公司（或服務(wù)名稱）包括 Alphabet（谷歌）、Meta、亞馬遜（AWS）、Azure（微軟）、阿里巴巴和蘋果。

這六家公司（六項(xiàng)服務(wù)）的固定資產(chǎn)（有形固定資產(chǎn)）支出總額在 2021 年第一季度（1Q21）至 2023 年第三季度（3Q23）期間有所波動(dòng)，但平均保持不變（約為 400 億美元）。

這一數(shù)字自2023年第四季度（4Q23）以來(lái)持續(xù)快速增長(zhǎng)。2024年第四季度（4Q24）至2025年第一季度（1Q25），總額達(dá)到約800億美元。這意味著，在短短一年半的時(shí)間里，從2023年第三季度（3Q23）的約400億美元翻了一番。最近的2025年第二季度（2Q25），投資額進(jìn)一步上升，接近1000億美元。

主要云服務(wù)公司在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的投資額（有形固定資產(chǎn)）的季度趨勢(shì)。服務(wù)公司（或服務(wù)名稱）從下到上依次為“Alphabet（谷歌）”、“Meta”、“亞馬遜（AWS）”、“Azure（微軟）”、“阿里巴巴”和“蘋果”?？v觀每家公司（服務(wù)），可以看出“Alphabet（谷歌）”、“Meta”、“亞馬遜（AWS）”和“Azure（微軟）”的投資額從2023年底到2025年上半年都在增加。

2025年4月后DDR4 DRAM單價(jià)將飆升

最后一張幻燈片是關(guān)于 DRAM 每?jī)?nèi)存容量的單價(jià)。

由于三大 DRAM 公司在 2025 年底停止生產(chǎn) DDR4 DRAM，部分中國(guó) DRAM 供應(yīng)商在 2024 年對(duì) DDR4 DRAM 發(fā)起極低價(jià)格攻勢(shì)，DDR DRAM 市場(chǎng)似乎正處于動(dòng)蕩狀態(tài)。

Handy 在 FMS 演講中展示的幻燈片展示了 DDR4 DRAM 和 DDR5 DRAM 每?jī)?nèi)存容量（千兆字節(jié) = 8Gbit）的單價(jià)（現(xiàn)貨市場(chǎng)最低價(jià)格）趨勢(shì)。

從2024年3月到2025年3月的13個(gè)月里，DDR4系列內(nèi)存單價(jià)穩(wěn)步下降，2024年3月約為1.50美元，但到2025年3月則跌至1.00美元左右，跌幅約為三分之二。在此期間，DDR5系列內(nèi)存單價(jià)基本保持穩(wěn)定在2美元左右。

然而，從2025年4月開(kāi)始，DDR4系列的單價(jià)開(kāi)始大幅上漲，到同年6月將突破2美元，與DDR5系列的價(jià)格大致持平。更重要的是，DDR5系列的單價(jià)從2025年3月開(kāi)始也呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。這表明整個(gè)DDR系列都出現(xiàn)了供應(yīng)短缺的情況。

內(nèi)存容量短缺引發(fā)2026年供應(yīng)鏈混亂

隨著全球制造商爭(zhēng)相向上游供貨，以確保2026年的DRAM產(chǎn)能，內(nèi)存行業(yè)面臨嚴(yán)重的產(chǎn)能緊縮，這引發(fā)了人們對(duì)供應(yīng)鏈中斷的擔(dān)憂。盡管明年主要供應(yīng)商新增產(chǎn)能有限，但預(yù)計(jì)需求將超過(guò)供應(yīng)，這將給內(nèi)存模塊制造商帶來(lái)潛在的短缺壓力，并導(dǎo)致采購(gòu)成本飆升。

業(yè)內(nèi)人士承認(rèn)，目前 DRAM 缺口已超出預(yù)期，促使主要參與者之間展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)，爭(zhēng)奪 2026 年的供應(yīng)。然而，目前尚未有任何一家原始設(shè)備制造商 (OEM) 明確承諾供應(yīng)量，這迫使買家“搶購(gòu)所有庫(kù)存”，因?yàn)槿藗冊(cè)絹?lái)越擔(dān)心中小企業(yè)到 2026 年底可能面臨庫(kù)存空置的情況。

雖然 NAND 閃存也面臨供應(yīng)緊縮的問(wèn)題——預(yù)計(jì)第四季度價(jià)格將上漲約 25%——但其更廣泛的供應(yīng)商基礎(chǔ)提供了更為穩(wěn)定的供應(yīng)。相比之下，DRAM 市場(chǎng)仍存在很大的不確定性；價(jià)格上漲并不能保證采購(gòu)成功，DDR4 仍然稀缺。

慧榮科技總裁強(qiáng)調(diào)，蓬勃發(fā)展的人工智能推理應(yīng)用推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)需求，尤其增加了DRAM需求。他警告稱，全球存儲(chǔ)產(chǎn)品短缺的局面可能持續(xù)到2027年，這可能導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，許多小客戶可能會(huì)轉(zhuǎn)向二手或回收的組件。各大DRAM和NAND生產(chǎn)商的資本支出計(jì)劃各不相同，反映出在經(jīng)歷了過(guò)去的困境后，市場(chǎng)謹(jǐn)慎樂(lè)觀的態(tài)度。

威剛利用早期低成本庫(kù)存儲(chǔ)備，在 2024 年實(shí)現(xiàn)收入增長(zhǎng) 20%，在全球內(nèi)存模組供應(yīng)商中排名第二。

然而，其董事長(zhǎng)承認(rèn)，盡管持有超過(guò) 100 億新臺(tái)幣（約合 3.267 億美元）的庫(kù)存，內(nèi)部采購(gòu)團(tuán)隊(duì)仍面臨壓力，他敦促銷售人員定量供應(yīng)產(chǎn)品并優(yōu)先考慮關(guān)鍵客戶。

Adata 的目標(biāo)是將庫(kù)存價(jià)值提高到 200 億新臺(tái)幣，但面臨來(lái)自云服務(wù)提供商和其他模塊制造商的激烈競(jìng)爭(zhēng)。

宜鼎國(guó)際董事長(zhǎng)指出，同行已在預(yù)期需求激增之前做好了庫(kù)存準(zhǔn)備，近期營(yíng)收將反映出出貨量和平均售價(jià)的增長(zhǎng)。緊迫的問(wèn)題仍然是庫(kù)存耗盡后如何管理，重點(diǎn)是確保2025年第四季度至2026年的出貨量。

原始設(shè)備制造商產(chǎn)能擴(kuò)張落后于2026年需求激增

目前領(lǐng)先的內(nèi)存 OEM 廠商的擴(kuò)張計(jì)劃表明，2026 年的產(chǎn)能增長(zhǎng)將無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，預(yù)計(jì)只有 2027 年才會(huì)出現(xiàn)顯著的新增產(chǎn)量。

三星電子平澤 P3 工廠的目標(biāo)是到 2026 年底達(dá)到每月 115,000 片晶圓的產(chǎn)能，而其 P4 工廠將于 2025 年完工，并于 2026 年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

SK海力士受益于高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）強(qiáng)勁的銷售業(yè)績(jī)，其在韓國(guó)和中國(guó)的產(chǎn)能均已滿負(fù)荷運(yùn)營(yíng)。其M15X晶圓廠將于2025年第四季度完工，專注于HBM3E和HBM4的生產(chǎn)。位于龍仁的一座規(guī)模更大的新工廠最近已開(kāi)工建設(shè)，一期工程預(yù)計(jì)將于2027年第二季度竣工。

美光位于新加坡的先進(jìn) HBM 封裝工廠投資 70 億美元開(kāi)工建設(shè)，目標(biāo)是在 2026 年投入運(yùn)營(yíng)，并在 2027 年大幅擴(kuò)大后端產(chǎn)能。其位于愛(ài)達(dá)荷州 (ID1) 的晶圓廠是美國(guó)首個(gè)大批量 DRAM 工廠，預(yù)計(jì)在 2027 年底才會(huì)生產(chǎn)出第一批晶圓。

南亞科技預(yù)計(jì) 2026 年將維持相對(duì)較低的資本支出，2027 年完成新產(chǎn)能，并預(yù)計(jì)明年出貨量?jī)H增長(zhǎng) 10%。

總體而言，存儲(chǔ)器行業(yè)警告稱，2026 年 DRAM 產(chǎn)能增長(zhǎng)無(wú)法跟上不斷增長(zhǎng)的需求。盡管有利的市場(chǎng)條件可能持續(xù)到 2026 年，但在采購(gòu)方面處于劣勢(shì)的存儲(chǔ)器模塊制造商可能面臨更高的投入成本，以及客戶承受價(jià)格上漲意愿的減弱。這種情況將危及強(qiáng)勁的營(yíng)收數(shù)據(jù)，同時(shí)帶來(lái)出貨量下降和利潤(rùn)率壓力，從而導(dǎo)致供應(yīng)競(jìng)爭(zhēng)空前激烈。

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