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本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
鎢價(jià)在過去五個(gè)月翻了一番,給這些天然氣生產(chǎn)商帶來了成本壓力。
據(jù)韓國(guó)媒體TheElec 獲悉,為應(yīng)對(duì)中國(guó)限制稀土出口導(dǎo)致鎢價(jià)格飆升,特種氣體生產(chǎn)商已通知韓國(guó)芯片制造商,明年將提高六氟化鎢 (WF6) 氣體的價(jià)格。
消息人士稱,SK Specialty、Foosung、Kanto Denka Korea 和其他氣體生產(chǎn)商最近已通知三星、SK 海力士、DB Hitek 和 Magnachip,他們明年將把WF6 的價(jià)格提高 70% 至 90%。
他們表示,這是因?yàn)殒u價(jià)在過去五個(gè)月翻了一番,給這些天然氣生產(chǎn)商帶來了成本壓力。他們補(bǔ)充說,日本天然氣生產(chǎn)商以匯率不利為由,將價(jià)格提高了90%。芯片制造商知道鎢的價(jià)格上漲,因此或多或少愿意接受六氟化鎢價(jià)格的上漲。
六氟化鎢(WF6) 是芯片生產(chǎn)中化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝的核心氣體,該工藝會(huì)在晶圓上沉積一層鎢層。硅晶圓頂部形成無數(shù)通道,用于傳輸電信號(hào)。這些通道被絕緣層覆蓋,并與其他金屬層連接。鎢用于覆蓋這些連接過程中產(chǎn)生的孔洞和縫隙。六氟化鎢(WF6) 在沉積機(jī)腔室內(nèi)與等離子體和氫氣發(fā)生反應(yīng),轉(zhuǎn)化為金屬鎢。鎢通常用于邏輯和 DRAM 生產(chǎn),以及結(jié)構(gòu)復(fù)雜的 3D NAND 芯片。
開采黑鎢礦后,去除其中的雜質(zhì),提取三氧化鎢。黑鎢礦是一種含有鎢元素的氧化鎢礦物。加工三氧化鎢后,將其轉(zhuǎn)化為仲鎢酸銨(APT),這是一種粉末前體,可用于生產(chǎn)鎢金屬或鎢復(fù)合材料。氣體生產(chǎn)商 SK Specialty 和 Foosung 進(jìn)口這些 APT,并將其與氟化物氣體反應(yīng),轉(zhuǎn)化為六氟化鎢 (WF6) 氣體。
分析師指出,存儲(chǔ)芯片制程對(duì)鎢氣體的依賴度高,廣泛應(yīng)用于邏輯芯片(Logic)、DRAM,以及結(jié)構(gòu)復(fù)雜的3D NAND制造中,因此,WF6價(jià)格上漲對(duì)存儲(chǔ)芯片成本確實(shí)有顯著影響。
問題在于,全球超過80%的鎢金屬開采和加工都在中國(guó)進(jìn)行。自2月份以來,中國(guó)對(duì)鎢和其他“戰(zhàn)略礦產(chǎn)”實(shí)施了出口許可證政策。這導(dǎo)致鎢價(jià)格飆升。據(jù)中國(guó)鎢業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),截至9月初,鎢礦石價(jià)格較年初上漲了95%,達(dá)到每噸28萬(wàn)元人民幣。同期,APT價(jià)格也上漲了90%以上,達(dá)到每噸40萬(wàn)元人民幣。
消息人士稱,六氟化鎢價(jià)格上漲并非暫時(shí)的沖擊,而是表明供應(yīng)鏈發(fā)生了根本性變化。他們還表示,一些氣體生產(chǎn)商可能會(huì)從自身價(jià)格上漲中獲得短期收益。
據(jù)估計(jì),全球芯片行業(yè)每年消耗約7,000至8,000噸六氟化鎢。SK Specialty的產(chǎn)能為每年2,000噸;Foosung為900噸;日本關(guān)東電化為1,400噸;中國(guó)的Peric為2,200噸。
成本壓力下的產(chǎn)能競(jìng)速:SK海力士加速HBM布局
在材料成本飆升的背景下,以HBM 為代表的高端存儲(chǔ)領(lǐng)域正上演產(chǎn)能擴(kuò)張競(jìng)速。
今年10月,SK 海力士已將首批設(shè)備投入其新晶圓廠 M15X。這比公司最初計(jì)劃的提前了兩個(gè)月——設(shè)備將于 12 月開始運(yùn)入工廠。此舉可能是為了加速擴(kuò)大其高帶寬內(nèi)存(HBM)的生產(chǎn)能力,HBM 是一種在人工智能應(yīng)用中需求量很大的內(nèi)存芯片。
SK海力士斥資超過20萬(wàn)億韓元在M15附近建設(shè)M15X。這家韓國(guó)芯片制造商預(yù)計(jì)將專注于制造 1b DRAM,用作 HBM3E 的核心芯片。消息人士稱,該晶圓廠每月可生產(chǎn)10億片DRAM晶圓,產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片。SK海力士預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能至每月5.5萬(wàn)至6萬(wàn)片晶圓。
SK海力士去年年底開始為該工廠下達(dá)設(shè)備訂單。其利川工廠的部分DRAM員工已遷至忠州工廠,負(fù)責(zé)設(shè)備安裝和工廠建設(shè)準(zhǔn)備工作。M15X 還擁有比現(xiàn)有晶圓廠更大的潔凈室,因?yàn)橹圃?HBM 所需的產(chǎn)能比制造傳統(tǒng) DRAM 更大。
消息人士稱,除了M15X 之外,SK 海力士還在籌備位于美國(guó)印第安納州的龍仁工廠和先進(jìn)封裝工廠。SK海力士上個(gè)月表示,已經(jīng)完成HBM4的開發(fā)并準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)。
份額爭(zhēng)奪戰(zhàn)升級(jí):三星以價(jià)換量應(yīng)對(duì)被動(dòng)局面
與 SK 海力士的產(chǎn)能擴(kuò)張策略形成鮮明對(duì)比的是,三星電子正以激進(jìn)的價(jià)格戰(zhàn)應(yīng)對(duì) HBM 市場(chǎng)的被動(dòng)處境。據(jù)Digitimes報(bào)道,存儲(chǔ)龍頭三星電子將針對(duì)12層HBM3E推出30%的降價(jià)策略,以試圖搶占市場(chǎng)。
“價(jià)格戰(zhàn)”背后的邏輯是三星產(chǎn)品良率爬坡速度緩慢導(dǎo)致的市場(chǎng)份額落后。直到今年9月,三星12層HBM3E產(chǎn)品才通過英偉達(dá)測(cè)試,并正式開始供應(yīng),預(yù)計(jì)今年第四季度出貨量將達(dá)到數(shù)萬(wàn)片。
三星HBM3E出貨時(shí)間仍然明顯落后于SK海力士、美光等存儲(chǔ)廠商。公開資料顯示,早在2024年,SK海力士便已通過良率測(cè)試,并確定向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E產(chǎn)品,今年上半年更是實(shí)現(xiàn)了16層HBM3E的量產(chǎn)供貨;另有消息稱,今年6月,美光HBM3E的良率已提高至70%以上,且預(yù)計(jì)出貨量超過8層HBM3E。
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