三星，Q3利潤大增

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星第三季度營業利潤為12.1萬億韓元，遠超分析師預期的9.70萬億韓元。

隨著人工智能（AI）應用對算力的需求激增，服務器和高性能計算領域對高帶寬內存（HBM）以及傳統DRAM的需求出現大幅回升，直接推動了全球內存芯片價格的飆升。作為全球最大的內存芯片制造商，三星電子在這一波需求浪潮中受益顯著，2025年第三季度的營業利潤創下2022年以來的最高水平，且股價同步突破歷史新高。

根據10月14日周二發布的一份初步財報，這家韓國最大的公司第三季度營業利潤為12.1萬億韓元（約85億美元），遠超分析師預期的9.70萬億韓元。營收攀升約9%，至86萬億韓元。該公司將于10月30日提供包含凈收入和各部門明細的完整財務報表。

這一強勁的業績表現，極大地提振了市場信心。投資者對于AI服務器和內存芯片需求的持久性更為樂觀。受其關鍵半導體部門復蘇跡象的鼓舞，三星股價自6月初以來已飆升超過60%。通常，半導體業務會貢獻三星年利潤的50%至70%。

公司股價延續漲勢，周二早盤在首爾市場一度上漲3.1%，創下歷史新高。

三星業績反彈的核心在于其半導體部門的復蘇。

彭博分析師Masahiro Wakasugi指出，三星第三季度的DRAM利潤可能因傳統DRAM和高帶寬內存（HBM）芯片的銷售強勁而增長。同時，得益于AI需求，NAND芯片的利潤可能也有所提高。

該分析師還補充說，公司顯示器部門的利潤可能因高端智能手機客戶而增長，而移動部門的利潤也可能因新款折疊手機的暢銷而有所增長。

據悉，三星正積極調整戰略，以抓住未來幾年AI帶來的巨大機遇。據悉，經過長達18個月的測試，三星的12層HBM3E終于通過了英偉達的嚴格審核。這一過程凸顯了英偉達對高性能存儲芯片的嚴苛要求，也反映了三星在解決早期版本熱性能問題上的技術突破。雖然三星是繼SK海力士和美光科技之后，第三家獲得英偉達批準的供應商，但這一認證對三星而言具有重要的戰略意義，有助于恢復其在 AI芯片供應鏈中的技術聲譽。

三星HBM3E的成功，很大程度上歸功于其對DRAM核心的重新設計。盡管英偉達的訂單量可能相對較少，但此次認證無疑為三星在 高帶寬內存市場上的競爭奠定了基礎。英偉達的旗艦 B300人工智能加速器以及AMD的MI350等系統都將采用這種大容量存儲芯片，這使得HBM3E的重要性日益凸顯。

隨著三星的歸位，HBM4的競爭將在明年全面升溫。

JEDEC于2025年4月正式發布了JESD270-4高帶寬內存（HBM4）標準，該標準帶來了多項核心技術革新。

比如，它將接口寬度從HBM3/HBM3E的1,024位擴展至前所未有的2,048位。通過此接口擴展，HBM4單個芯片堆棧的帶寬可高達2TB/s，相較于HBM3E的1.2TB/s，實現了逾60%的性能提升。此外，HBM4將每個堆棧的獨立通道數從16個增加到32個，每個通道再細分為兩個偽通道，這顯著提升了AI和HPC任務所需的并行處理能力與并發性 。

容量方面，HBM4支持4層到16層的堆疊配置，并采用24Gb或32Gb的裸晶密度。使用32Gb裸晶的16層堆棧，其單個內存立方體容量可達64GB，是HBM3容量的兩倍。這種規模的擴展對于滿足大型語言模型日益增長的內存需求至關重要。

HBM4市場的競爭格局主要由SK海力士、三星和美光三家核心內存制造商主導。

今年9月，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。

三星也正計劃向英偉達大量出貨HBM4樣品，力爭盡早獲得認證。公司正在與英偉達、博通以及谷歌等主要 AI芯片廠商就HBM4進行洽談，最早可以在2026年上半年開始大規模出貨。如果三星能夠在HBM4的競爭中盡早獲得英偉達認證，有望在這一關鍵存儲器細分市場上奪回市場份額。

美光表示HBM4E內存預計在2027年左右正式商業化，美光將在該世代提供行業標準型和客戶定制型兩類基礎邏輯裸片解決方案以滿足不同的需求，而定制型HBM4E有望帶來更高的毛利率。

針對整體HBM銷售和供應，美光已與幾乎所有客戶就2026年絕大多數HBM3E供應量達成價格協議，而美光的2026年HBM4供應談判正在積極進行，有望在未來數月達成；美光的首批HBM4生產出貨將在明年二季度實現。

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