中科大物理學教授：光刻機的難度超乎想象，全世界不光中國，美國也造不出來，我們差距100年！

“光刻機，全世界不是中國、美國都造不出來，中國能不能造出來？不可能，永遠造不出來？誰不懂得，我們中國又做出來了，純屬扯淡……”中科大物理學教授朱士堯關于光刻機的一番言論，在網絡上引發熱議。這番話如同一把鑰匙，打開了人們對光刻機這一“工業皇冠上的明珠”的討論閘門，也拋出了一個犀利的問題：在高端光刻機被少數國家“卡脖子”的當下，中國究竟能否在這一領域實現突破？

從國際上的相關事件來看，長期以來，荷蘭阿斯麥公司（ASML）在高端光刻機領域占據絕對優勢，其生產的EUV（極紫外）光刻機是制造7nm及以下制程芯片的核心設備。2024年2月10 日，ASML向媒體展示了高NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000，NA達到了0.55，單次光刻分辨率達到了8nm，售價高達3.5億歐元（約合27億元人民幣）。英特爾是率先向ASML訂購新型High-NA EUV設備EXE:5000的企業，早在2023年12月就拿下全球首臺， 2024年4月完成組裝進入光學系統校準階段，8月又宣布成功接收全球第二臺并完成安裝調試 。而臺積電預計將于今年年底從ASML接收首批全球最先進的高數值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機。

在光刻機領域，中國也在不斷突破。2024年10月，中國低調發布重磅消息，國產DUV浸沒式氟化氬光刻機研發成功，這一光刻機采用氟化氬作為光刻過程中的關鍵氣體，具有高穩定性和高純度的特點，中國科研人員通過自主創新，成功實現了8nm以下的精細加工能力，這一成果標志著中國在高端制造領域邁出了堅實的一步，向世界宣告中國已經具備了自主研發和生產先進光刻機的能力。不僅如此，今年9月上旬工信部發布的《首臺重大技術裝備推廣應用指導目錄》通知透露，兩臺由中國自主研發的光刻機設備正式亮相，分別為氟化氪光刻機（Krf）和氟化氬光刻機（Arf）。其中，Krf光刻機波長為248nm，分辨率≤110nm，套殼精度≤25nm；而Arf光刻機波長為193nm，分辨率≤65nm，套殼精度≤8nm，均屬于深紫外（DUV）光刻機范疇。

此外，根據英國金融時報報道，中芯國際已經在測試由上海初創企業宇量異生產的DUV光刻機，雖然不是最先進的EUV極紫外光刻機，但是通過多重曝光技術，極限情況下，可以制造5納米的芯片，這比原本國內外業界普遍認為的中國突破DUV光刻技術的時間提前了五年。

對于中國在光刻機領域的這些突破，網友們紛紛發表看法。

有網友自豪地表示：“從被‘卡脖子’到不斷突破，中國光刻機的每一次進步都是科研人員汗水的結晶，為他們點贊！”

也有網友理性分析道：“我們雖然取得了很大進展，但也得看到和ASML等在高端EUV領域還有差距，不能自滿，還得繼續埋頭搞研發。”

還有網友感慨：“中國在光刻機上的突破，意味著以后在芯片領域我們有了更多話語權，國外想隨意封鎖我們的時代一去不復返了！”

光刻機的研發是一個國家整體實力的體現，雖然中國在光刻機領域與國際先進水平仍存在一定差距，但近年來的許多突破事件已經充分展現了中國在該領域強大的自主創新能力和堅韌不拔的奮斗精神。隨著中國在科研投入上的持續增加、人才隊伍的不斷壯大以及產業生態的逐步完善，中國在光刻機領域必將實現更大的跨越，徹底打破國外的技術壟斷，為我國芯片產業乃至整個高科技產業的騰飛插上堅實的翅膀。

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