【IC風云榜候選企業13】領開半導體：以ATopFlash突破存儲芯片技術壁壘

【編者按】自2020年舉辦以來，IC風云榜已成為半導體行業的年度盛事。今年進一步擴容升級，共設立三大類73項重磅大獎，覆蓋投資、上市公司、市場、AI、具身智能、職場、知識產權、汽車、海外市場九大核心領域，全方位挖掘半導體產業各賽道的標桿力量。評委會由超過100家半導體投資聯盟會員單位及500+行業CEO組成。獲獎名單將于2026半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮上揭曉。

【候選企業】寧波領開半導體技術有限公司 （簡稱：領開半導體）

【候選獎項】年度技術突破獎

【候選產品】ATopFlash

在當前全球半導體產業持續升級與AI技術深入發展的時代背景下，存儲芯片作為智能設備的核心組成部分，其技術突破與創新應用正成為推動產業進步的關鍵力量。在這一充滿機遇與挑戰的賽道中，寧波領開半導體技術有限公司自2020年3月成立以來，憑借其自主原創的ATopFlash?存儲架構，以創新突破技術瓶頸，展現出中國半導體企業的研發與創新活力。

作為一家Fabless模式的半導體技術公司，領開半導體不僅專注于芯片設計，更致力于底層存儲架構的創新。該公司總部位于寧波，在上海設有子公司，團隊研發人員占比高達85%，展現出極強的技術攻堅實力。2025年，該公司分別入選“浙江省種子獨角獸Top 100”“蘇州工業園區科技領軍人才創新創業項目”，并獲評“國家級科技型中小企業”，創新潛力獲得政府與行業的認可。

突破工藝壁壘，構建自主技術體系

領開半導體指出，當前，NOR Flash技術面臨嚴峻挑戰，獨立式NOR Flash因工藝節點無法突破，性能提升陷入停滯；嵌入式NOR Flash在28nm以下先進制程中缺乏成熟方案，行業被迫依賴外掛存儲過渡。盡管MRAM、RRAM等新型存儲技術試圖破局，但其在可靠性、面積及功耗等方面的短板仍難以滿足市場需求。這一全球性技術瓶頸，正是領開半導體的突破機遇。ATopFlash?在完全兼容現有NOR Flash產品的同時，通過獨創技術路徑打破工藝限制，兼具高可靠性、高密度與低成本優勢。

ATopFlash?是一項獨立于工藝的非揮發性存儲底層架構發明，其依托的物理原理即量子隧穿機制，該機制正是2025年諾貝爾物理學獎獲獎成果的核心內容，領開半導體已將其推進至產品化階段。目前，ATopFlash?已完成版權登記，并已獲得17項中國發明專利授權，另有4項發明專利正在申請中。

作為領開半導體自主研發的基于創新組對架構的存儲芯片解決方案總稱，ATopFlash?涵蓋了領開半導體未來所有基于新技術的NOR Flash系列產品，其通過“雙軌”解決方案，為行業提供了突破性的發展路徑。在嵌入式領域，攻克28nm以下工藝瓶頸，提供傳統e-Flash完整解決方案；在外掛式領域，創新整合LPDDR-NOR封裝與高速IO器件技術，成功突破了傳統外掛NOR Flash在性能上的瓶頸。當前，蓬勃發展的AI市場對端側存儲芯片的高容量與高讀取速度提出了苛刻要求，這正是現有廠商的痛點。ATopFlash?的“雙軌”解決方案將有力滿足這一需求，推動用戶端AI應用的真正落地，為市場帶來重大變革，加速進入AI時代下半場，賦能智能化生活的普及。

ATopFlash?技術在核心架構與制造工藝上的多重突破，展現出顯著的性能優勢與前瞻的微縮潛力：

-單元更小：ATopFlash?小于1T1b，省去了不利于微縮的高壓NMOS選擇管；

-光罩層數少：節省了一層common source line所需的金屬光刻層；

-工藝簡化：減少了選擇管NMOS形成所需的光刻層及工藝步驟，工藝更統一簡潔；

-讀取電流高：讀取電流提升>50%；

-可靠性提升：徹底避免了編程操作時潛在的SG漏電/可靠性問題。

此外，ATopFlash?產品支持≥10萬次擦寫壽命與長達20年的數據保存能力，具備低功耗、接口兼容性好等優勢，廣泛適用于工業、車載及各類嵌入式系統。

重塑市場格局，開辟國產替代新路徑
ATopFlash?面向兩大關鍵市場：一是規模達300億元的獨立式NOR Flash存量市場，依靠技術迭代，具有巨大成本優勢；二是規模約25億元的嵌入式Flash IP增量市場，突破28納米以下全球嵌入式NOR Flash IP領域的技術空白。該技術完全兼容現有邏輯芯片工藝，可助力合作伙伴在40納米、28納米、22納米等節點實現SoC/MCU量產，并為未來延伸至14/10/7/5納米FinFET工藝奠定基礎。

領開半導體指出，業界認為MRAM和RRAM等新興存儲器在特定場景下有望替代NOR Flash。特別是臺積電和英飛凌自2010年起就合作開發RRAM技術，旨在解決傳統嵌入式閃存（eFlash）在性能、功耗和成本上的局限。這進一步加深了“NOR閃存無法兼容28nm以下工藝”的共識，加速了業界對新型存儲器的研究轉向。然而，盡管從技術原理來看，新型存儲器具備諸多技術和性能優勢，但在技術成熟性和成本面前，ATopFlash?技術提供了新的選擇。

MRAM受限于材料復雜度與抗磁干擾設計，成本居高不下；RRAM則在讀寫壽命與環境可靠性方面存在短板。而ATopFlash?沿用成熟的閾值電壓控制模式，設計風險低，工藝光罩僅增加3層，在28納米工藝下即可實現0.023μm2的單位面積，幾乎等同于14nm下RRAM的實現的顆粒單位面積0.022μm2。

今年5月，領開半導體完成了首顆55納米芯片的驗證，并計劃于2026~2027年實現40納米全線產品的設計和生產。
此次，領開半導體憑借ATopFlash?的創新突破，競逐"IC風云榜"年度技術突破獎。該獎項旨在表彰在集成電路領域實現重要技術創新的企業與團隊。領開半導體表示，ATopFlash?技術將為廣闊的嵌入式市場提供遠超傳統NORFlash的兼具高性能和極佳成本效益的通用代碼存儲解決方案。

在全球半導體競爭日趨激烈的今天，領開半導體以底層架構創新應對技術挑戰，在構建起自身的“技術護城河”的同時，為中國存儲芯片的自主發展注入了強勁動能。

【獎項申報入口】

2026半導體投資年會暨IC風云榜頒獎典禮將于2025年12月在上海舉辦，獎項申報已啟動，目前征集與候選企業/機構報道正在進行，歡迎報名參與，共赴行業盛宴！

【年度技術突破獎】

基于國際產業競爭的使命和責任，我們需要一批優秀的專注于半導體產業的投資機構發揮重要引領作用，帶領一眾創新型企業披荊斬棘、加速國產替代。
“年度最佳投資機構獎”旨在表彰專注半導體并在本年度做出突出貢獻、貢獻了最多資本與技術、投向更多半導體新興企業的頭部機構。

【報名條件】

1、半導體領域投資項目占總投資項目的40%以上；
2、基金管理規模不低于10億人民幣；
3、成立時間≥3年。

【評選標準】

1、本年度IPO數量10%；
2、管理資金規模20%；
3、投資項目個數（年度）40%；
4、投資項目總金額（年度）20%；
5、行業影響力10%。