多廠商齊發力，功率半導體創新應用場景持續擴展

前言

現階段，隨著氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料的快速落地，以及MOSFET、IGBT等傳統器件在工藝和封裝上的持續優化，器件性能不斷想效率更高、功率密度更大、可靠性更強方向突破。在消費電子、電動汽車、新能源、數據中心及工業控制等多應用領域，這些技術創新正在重塑電源系統設計格局。面對市場需求瞬息萬變，各大廠商紛紛推出新產品以搶占技術制高點。

本文按品牌英文首字母整理多家企業的最新新品，為工程師和行業觀察者提供一份全面、即時的參考。

AOS萬國半導體

萬國半導體針對Type-C EPR 3.1 240W推出保護開關

AOS萬國近日推出兩款高性能Type-C保護開關——AOZ13058DI與AOZ15953DI，旨在將Type-C端口供電能力提升至240W，支持Type-C擴展功率范圍（EPR）3.1應用。

其中，AOZ13058DI面向48V Type-C灌電流（sink）應用，提供過壓、過流、短路、過熱及ESD保護，并集成可編程軟啟動與理想二極管反向電流阻斷功能，可隔離下游組件、防止電流損害。其20mΩ超低導通電阻和雙向瞬態電壓抑制增強了電源穩定性，滿足IEC61000-4-2/4-5安全標準。可編程電流限制功能還可用于EPR 3.1擴展塢系統。

AOZ15953DI面向Type-C拉電流（source）應用，支持5V輸出3.5A電流，并能承受最高48V電壓。該開關通過UL 2367及IEC 62368-1認證，具備輸入過壓、啟動短路、過溫保護，并可通過ILIMIT引腳設定電流限制。

這兩款保護開關有效防止短路風險，助力高性能筆記本、游戲本、臺式機、顯示器、擴展塢及其他高功率便攜設備實現高效、安全、可靠的Type-C供電。

Infineon英飛凌

英飛凌擴展 CoolSiC 650 V G2 MOSFET 產品陣容，新增 75 mΩ 型號

英飛凌近日宣布，旗 CoolSiC 650 V G2 MOSFET系列新增75 mΩ型號，以滿足市場對高功率密度與緊湊設計的需求。新產品覆蓋TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 和 TO247-4 多種封裝形式，支持頂部冷卻和底部冷卻（兩種散熱方式，賦予設計人員更大靈活性。

該系列器件廣泛適用于中高功率 SMPS，覆蓋AI服務器、可再生能源、電動汽車與充電樁、人形機器人充電、電視及驅動系統等領域。

基于第二代CoolSiC技術，新品在品質因數、可靠性和易用性方面較前代大幅提升。其中，TOLL與ThinTOLL 8x8 封裝助力實現緊湊設計并降低制造成本；TOLT封裝則進一步豐富英飛凌的TSC產品組合，目前已涵蓋 CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN 和 Optimos。TSC方案最高可實現95%散熱效率，并優化空間利用率與寄生效應。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科發布兩款低壓電機驅動GaN方案

英諾賽科 發布兩款低壓電機驅動方案：INNDMD48V25A1分立方案與INNDMD48V22A1集成方案。兩者均支持48V~60V輸入、峰值相電流 25A/22A，完美適配1kW級電機應用，廣泛面向機器人、無人機、電動工具等場景。分立方案采用6顆INN100EA035A 分立器件與 3 顆 INS2003FQ驅動IC，兼具靈活性；集成方案則基于3顆 ISG3204LA 半橋合封GaN，集成度高、布局更簡潔。

憑借高效率、低溫升、高頻率、小體積四大優勢，兩款方案全面超越傳統Si器件：損耗可降低至24%–39%，溫度下降23℃以上，高頻性能優異并提升功率密度，部分場景甚至可免散熱器。英諾賽科此次新品發布，為下一代電機系統提供強勁“動力內核”，無論是追求極致性能的分立設計，還是注重快速開發的集成方案，都能幫助客戶實現高性能與差異化競爭。

Nexperia安世半導體

Nexperia推出新款高功率應用MOSFET (ASFET)產品

安世半導體近日宣布，為其應用專用MOSFET (ASFET) 產品組合再添新成員。新款80?V PSMN1R9-80SSJ和100?V PSMN2R3-100SSJ開關器件具備增強的動態均流功能，專為需要并聯多個MOSFET的高功率48?V應用設計，如叉車、電動滑板車、代步設備及工業電機驅動系統。

在高電流并聯應用中，MOSFET導通與關斷階段電流分配不均易導致局部過熱及器件應力過大。為規避傳統過度設計或采購篩選器件的成本與復雜性，新款ASFET可在單器件電流達50?A時，將并聯器件間電流差值降低50%，VGS(th)參數差異縮小50%，最大差值僅0.6?V。同時，其低導通電阻（1.9?mΩ或2.3?mΩ）有助于提升系統能效。

新款ASFET采用8?mm×8?mm LFPAK88封裝，兼顧耐用性與空間效率，工作溫度范圍為-55℃至+175℃，為高功率電源和電機驅動應用提供可靠支持。

PNJ派恩杰

派恩杰推出Easy 3B 2000V高壓碳化硅模塊

派恩杰Easy 3B碳化硅模塊基于第三代半導體技術，具備高擊穿場強、高熱導率和高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及系統兼容性上表現均衡。2000V 設計特別適合大規模光伏電站、儲能系統以及工業 UPS 與快充樁等高壓、高效率、高可靠性應用，有效降低電壓降與能耗，提升發電與儲能效率。核心優勢包括超高耐壓（VDSS>2000V）、含銅基板和 AMB 陶瓷基板高效散熱，以及對多種拓撲結構（半橋、全橋、三相橋、三電平及 Boost）的兼容性。

在光伏逆變器和儲能系統中，Easy 3B 模塊可提升直流-交流轉換效率、降低線纜與開關損耗，實現高效雙向充放電，延長電池壽命并確保系統穩定。典型落地案例包括 1500V DC 大型光伏電站，通過兩電平拓撲與雙面散熱設計，替代傳統三電平方案，實現效率提升、成本下降，同時適應高溫高風沙環境；以及 200MWh 構網型儲能電站，通過模塊快速切換響應和熱管理創新，提高調頻速度和系統能效。

在工業 UPS 與快充樁應用中，Easy 3B 模塊幫助 UPS 系統實現零中斷供電，并適應高密度服務器瞬時負載波動；在快充樁中通過 LLC 諧振拓撲，實現高效率輸出和戶外環境適應能力。整體來看，派恩杰 2000V 碳化硅模塊平衡性能與成本，為中高壓電力電子系統提供高效、可靠的解決方案，尤其適用于新能源和能源轉型相關領域。更多型號參數及 Datasheet 可通過官方網站獲取，以滿足具體應用需求。

ROHM羅姆

羅姆推出低VF且低IR的保護用肖特基勢壘二極管

羅姆宣布推出創新型保護用肖特基勢壘二極管“RBE01VYM6AFH”。該產品在低正向電壓（VF）與低反向電流（IR）之間實現高維度平衡，為ADAS攝像頭等高像素圖像傳感器應用提供可靠的保護解決方案。隨著攝像頭精度和像素的提升，圖像傳感器在電源關斷時可能產生高光生電壓，傳統器件難以兼顧低VF與低IR的保護要求。ROHM通過重新設計器件結構，成功開發出兼具兩者特性的產品，解決了長期困擾行業的技術難題。

“RBE01VYM6AFH”創新性地將肖特基勢壘二極管通常用于整流的低VF特性應用于保護用途，同時保持低IR性能。在極端環境下（VF：Ta=－40℃，IR：Ta=125℃），仍可實現VF＜300mV（IF=7.5mA）與IR＜20μA（VR=3V），有效防止高光生電壓對電路的損壞，并降低熱失控與誤動作風險，為高可靠性電子設計提供保障。

新產品采用小型扁平引腳SOD-323HE（2.5mm × 1.4mm）封裝，兼顧節省空間與安裝便利性，可廣泛應用于車載攝像頭、工業設備和安防系統等狹小空間場景。同時，“RBE01VYM6AFH”符合車規AEC-Q101標準，適合下一代高可靠性電子設備的長期穩定運行需求。

ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”

羅姆近期推出二合一SiC模塊“DOT-247”，專為光伏逆變器、UPS及半導體繼電器等工業應用設計。該模塊延續了廣泛使用的TO-247封裝通用性，同時提供更高設計靈活性和功率密度，滿足多電平功率轉換電路的需求。

隨著光伏逆變器向高電壓、多電平方向發展，三電平NPC、三電平T-NPC及五電平ANPC等電路日益普及。傳統SiC模塊在多電平混合拓撲（半橋+共源）中往往需要定制產品，而DOT-247通過整合半橋與共源兩種拓撲為二合一模塊，實現了更小電路尺寸和更高適配靈活性，可輕松應對下一代功率轉換設計。

DOT-247由兩個TO-247封裝相連構成，可容納更大芯片并優化內部結構，實現更低導通電阻。封裝熱阻降低約15%，電感減少約50%，在半橋結構中功率密度提升至2.3倍，同時體積僅為傳統方案的一半。產品覆蓋750V（SCZ40xxDTx）與1200V（SCZ40xxKTx）兩種耐壓，共8款型號，可廣泛應用于NPC電路、DC-DC轉換器等多種配置，幫助系統小型化并減少元器件數量。

SK時科電子

時科推出60V耐壓功率MOS KG100N06AD

時科推出的SKG100N06AD N溝道增強型MOSFET，以 60V耐壓、100A承載能力、超低導通電阻和PDFN5x6-8L緊湊封裝，成為新一代高效能電源與功率電路的理想選擇。

該器件采用先進溝槽工藝，RDS(on)典型值僅2.0mΩ，在低柵壓驅動下依然保持極低損耗，實現高能效輸出；支持高達100A電流承載，確保在大功率應用中穩定可靠；小型封裝便于高密度布局，助力設備輕薄化；同時具備優良的雪崩耐量和熱特性，兼容邏輯電平驅動，并符合RoHS環保標準。

憑借更優性能與小型封裝，SKG100N06AD廣泛適用于電源管理系統、PWM控制與電機驅動、便攜式電子、儲能與電池管理，以及物聯網和通信設備。

TOSHIBA東芝

東芝推出新一代NMOS

東芝今日宣布推出最新100V N溝道功率MOSFET——TPH2R70AR5，采用東芝最新一代工藝U-MOS11-H制造。該產品主要面向開關電源等工業設備應用，尤其適用于數據中心和通信基站，今日起正式出貨。

TPH2R70AR5在器件結構上優化了U-MOSX-H系列，進一步改善了漏源導通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）及其綜合指標（RDS(ON)×Qg），相比前代產品RDS(ON)降低約8%、Qg降低37%，綜合性能提升42%。此外，新器件通過應用壽命控制技術優化體二極管性能，反向恢復電荷（Qrr）降低約38%，RDS(ON)×Qrr提升約43%，有效降低導通與開關損耗，提高系統效率和功率密度。

新產品采用SOP Advance(N)封裝，兼容行業標準貼裝工藝，并配套提供G0 SPICE模型和高精度G2 SPICE模型，便于快速驗證電路功能和精確模擬瞬態特性。東芝表示，將持續擴展低損耗MOSFET產品線，助力實現更高效電源和降低設備功耗。

YJ揚杰科技

揚杰為PD快充推出N100V MOSFET新品

揚杰科技近日發布最新一系列面向PD電源的N100V MOSFET產品。該系列產品采用優化后的SGT工藝設計，具有更低的導通電阻和柵極電荷，有效降低了器件在工作過程中的導通與開關損耗。同時，新品在抗雪崩沖擊能力方面得到顯著增強，能夠滿足PD電源中高效、穩定運行的需求。

在封裝和應用層面，N100V MOSFET產品采用PDFN5*6-8L封裝方案，特別適用于PD電源的同步整流場景。產品經過針對電源不同工作狀態的優化設計，顯著提升了EAS能力，從而在保證性能輸出的同時，進一步增強了整體可靠性，為PD電源廠商帶來更具競爭力的解決方案。

充電頭網總結

功率半導體行業正以前所未有的速度推進技術迭代。從低壓到高壓、從高導阻到低損耗，從分立器件到高集成模塊，每一次創新都在推動系統效率和可靠性躍升。面對市場需求和應用場景的瞬息萬變，廠商不斷優化性能、改進封裝、拓展應用，以應對從消費電子到數據中心、電動汽車及工業設備的多樣化挑戰。可以預見，隨著研發持續深入和創新節奏加快，功率半導體將繼續引領電源系統設計潮流，為全球電子產業注入強大動力，推動行業穩步邁向新高峰。

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