鎧俠聯(lián)手英偉達 計劃于2027年推出速度提升百倍的SSD

【CNMO科技消息】11月4日，根據(jù)媒體報道，在近日舉行的面向AI市場的技術(shù)說明會上，日本半導體存儲芯片巨頭鎧俠控股宣布，其正與美國半導體公司英偉達緊密合作，計劃在2027年前開發(fā)并量產(chǎn)一款數(shù)據(jù)讀取速度提升至目前水平近100倍的新型固態(tài)硬盤（SSD）。

鎧俠

此次合作旨在響應生成式AI市場對數(shù)據(jù)存儲與處理速度的爆炸性需求。傳統(tǒng)上，SSD通過中央處理器（CPU）與圖形處理器（GPU）連接，而鎧俠與英偉達合作開發(fā)的新一代SSD將能夠直接連接到GPU上進行高速數(shù)據(jù)交換。其關(guān)鍵性能指標——隨機讀取速度目標設定為驚人的1億IOPS（每秒輸入輸出操作次數(shù)）。鑒于英偉達提出的單個SSD性能需求為2億IOPS，鎧俠計劃通過組合兩個SSD來滿足這一要求，并將支持未來的PCIe 7.0接口標準。

這一技術(shù)突破的核心戰(zhàn)略目標之一，是尋求替代目前在AI運算中廣泛使用的高帶寬存儲器（HBM）的一部分功能。HBM作為一種超高速動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），雖然性能卓越，但單位容量成本高昂，限制了AI運營商擴展存儲容量。

鎧俠SSD

鎧俠希望利用其具有成本優(yōu)勢的NAND閃存技術(shù)，通過這款超高速SSD來承擔部分原本由HBM負責的容量擴展任務，這同時也是鎧俠在自身產(chǎn)品線缺乏DRAM情況下的一種戰(zhàn)略性補強。

為實現(xiàn)性能的跨越式提升，鎧俠將依托其專有的高速NAND閃存技術(shù)“XL-FLASH”。該技術(shù)通過控制單個存儲元件存儲的數(shù)據(jù)量（1-2比特），在成本、運行速度和耐久性上取得了優(yōu)于大容量NAND的平衡。目前，第三代XL-FLASH正在開發(fā)中并即將投產(chǎn)，它將被應用于目標性能達1億IOPS的最終產(chǎn)品中。

鎧俠技術(shù)人員透露，為實現(xiàn)百倍速飛躍，將采取增加NAND芯片內(nèi)的平面分割數(shù)等措施以優(yōu)先提升讀取速度，即使犧牲部分芯片面積也在所不惜。同時，將數(shù)據(jù)讀取單位“頁”縮小至512字節(jié)（原來的八分之一）并控制由此帶來的功耗增加，也是技術(shù)挑戰(zhàn)之一。

鎧俠制定了清晰的開發(fā)路線圖：首先，在2026年推出基于第二代XL-FLASH、讀取速度達1000萬IOPS的SSD樣品。在驗證此階段成果后，于2027年使用第三代XL-FLASH實現(xiàn)1億IOPS SSD的開發(fā)。