英諾賽科650V和700V氮化鎵被多家應用在LLC大功率快充

前言

近年來，從充電頭網多款拆解報告中我們可以看到，英諾賽科推出的GaN功率器件廣泛應用于大功率快充LLC電路中。在傳統的LLC電路中常常選用高壓MOS作為初級功率器件應用。然而隨著快充功率需求和功率密度的不斷攀升，傳統硅MOS逐漸成為瓶頸，限制了整體功率密度的提升。此時，英諾賽科的氮化鎵功率器件憑借其優異的高頻特性和低損耗優勢，為LLC架構帶來了新的突破空間。

英諾賽科在快充LLC電路的應用

文中出現的英諾賽科氮化鎵如上表所示，從650V到700V的多顆氮化鎵，在數十款知名品牌高功率快充中LLC電路中均有大量應用。

英諾賽科INN650D02

英諾賽科INN650D02氮化鎵功率芯片額定耐壓為650V，峰值耐壓750V，導阻低至0.2Ω，符合JEDEC標準的工業應用要求，支持ESD保護，支持開爾文源極。最高工作溫度150℃。INN650D02 “InnoGaN”開關管高頻特性好，且導通電阻小，適合高頻高效的開關電源應用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開關電源應用。

在LLC電路中，INN650D02的低阻和出色的高頻特性，幫助提升電源轉換效率，減少開關損耗，并降低熱量產生，現今獲得華科生 230W 4C1A氮化鎵桌面充、安述智能240W電源適配器、SPRUCE 140W 3C1A無線充二合一充電座以及福佳240W DC氮化鎵電源適配器應用。

應用案例：

1、拆解報告：華科生 230W 4C1A氮化鎵桌面充

2、拆解一款游戲本專用240W氮化鎵+碳化硅適配器

3、拆解報告：SPRUCE 140W 3C1A無線充二合一充電座

4、拆解報告：福佳240W DC氮化鎵電源適配器

英諾賽科INN650D150A

英諾賽科INN650D150A是一顆耐壓650V的氮化鎵高壓單管，瞬態耐壓750V，導阻150mΩ，采用DFN8*8封裝。INN650D150A支持超高開關頻率，無反向恢復電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標準的工業應用要求，內置ESD保護，符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規。

該器件應用案例包括HyperJuice 245W 4USB-C口氮化鎵桌面充電器和倍思240W 3C1A+DC氮化鎵桌面充電器，兩者均在LLC電路中通過INN650D150A實現更高的功率密度。

1、拆解報告：HyperJuice 245W 4USB-C口氮化鎵桌面充電器

2、拆解報告：倍思240W 3C1A+DC氮化鎵桌面充電器

英諾賽科INN650D260A

英諾賽科INN650D260A氮化鎵功率器件，額定耐壓為650V，導阻260mΩ，采用DFN8*8封裝，符合JEDEC標準的工業應用要求，支持ESD保護，支持開爾文源極。最高工作溫度150℃。INN650D260A支持超高開關頻率，無反向恢復電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規。

在LLC電路中，該器件憑借自身出色性能，幫助提升電源轉換效率，減少開關損耗，獲得綠聯200W 4C2A六口氮化鎵桌面充產品應用。

應用案例：

1、拆解報告：綠聯200W 4C2A六口氮化鎵桌面充

英諾賽科INN650DA260A

英諾賽科INN650DA260A是一顆高性價比、耐壓650V的氮化鎵高壓單管，瞬態耐壓750V，導阻260mΩ，得益于工藝改進，相比英諾賽科之前的氮化鎵器件，性能有明顯的提升，適用于65-120W的反激架構，120-200W的LLC架構。英諾賽科INN650DA260A支持超高開關頻率，無反向恢復電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標準的工業應用要求，內置ESD保護，符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規。

該器件應用案例包括尚巡230W氮化鎵充電器和氘鋒150W全能充GaN充電器PA0228，兩者均在LLC電路中通過該器件實現更高的轉換效率。

應用案例：

1、拆解報告：尚巡230W氮化鎵充電器

2、拆解報告：氘鋒150W全能充GaN充電器PA0228

英諾賽科INN700D140C

英諾賽科INN700D140C是一顆耐壓700V的增強型氮化鎵開關管，導阻140mΩ，具備開爾文源極，采用DFN8*8封裝。英諾賽科氮化鎵開關管具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標準的工業應用要求，內置ESD保護，符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規。適用于圖騰柱PFC，快充電源，高功率密度以及高能效開關電源應用。

在LLC電路中，該器件憑借自身出色性能，幫助提升電源轉換效率，減少開關損耗，獲得安克250W 4C2A氮化鎵桌面充電器產品應用。

應用案例：

1、拆解報告：安克250W 4C2A氮化鎵桌面充電器

英諾賽科INN700TK350B

英諾賽科INN700TK350B是一顆耐壓700V的增強型氮化鎵開關管，導阻350mΩ，采用TO252封裝。該器件具備ESD防護，具備超高開關頻率，無反向恢復電荷且柵極電荷低，符合RoHS、無鉛以及REACH 環保標準，適合PFC校正電路、AHB/LLC/QR/ACF電路等諸多場景應用。

在LLC電路中，該器件憑借自身出色性能替代傳統硅MOS，幫助產品降低開關損耗，獲得酷態科15號140W 3C1A充電器產品應用。

應用案例：

1、拆解報告：酷態科15號140W 3C1A充電器

充電頭網總結

英諾賽科氮化鎵器件憑借高頻、高壓、高效的特性，旗下InnoGaN系列功率器件已在多款140W及以上快充產品中廣泛應用，展現出高功率密度場景下的優異性能。英諾賽科GaN器件的高頻特性與低導阻特征使得LLC拓撲能夠在更緊湊的結構中達成高效率與高可靠性，推動PD快充、游戲本適配器能效全面提升，為終端設備帶來低發熱且輕薄的充電體驗。