俄羅斯國產EUV光刻設備路線圖曝光：2036年實現10nm以下制程

背景介紹

近日，俄羅斯科學院微結構物理研究所公布了一份針對波長11.2納米的國產極紫外（EUV）光刻設備的長期研發路線圖。該項目計劃從2026年啟動，采用40納米制造工藝，并持續至2037年，整體目標是10納米以下先進制程。

技術創新：獨辟蹊徑的設計

該機構強調，與全球光刻機巨頭ASML的光刻設備的實現思路不同，俄羅斯的極紫外光刻系統另辟蹊徑，采用獨特技術體系，主要包括以下幾個方面：

1、采用混合固態激光器：提供穩定光源，降低能耗。2、采用氙等離子體光源：可顯著減少光掩模碎屑，降低維護成本。3、采用釕-鈹（Ru/Be）反射鏡：專為11.2納米波長設計，優化光線反射效率。

相比ASML的深紫外（DUV）設備，該系統無需高壓浸沒式液體或多重圖形曝光，設計復雜度更低，適合中小型晶圓廠的高性價比需求。

路線圖三大階段

該路線圖分為三個主要階段，逐步提升制程能力與設備性能：

第一階段（2026-2028年）：推出可支持 40 納米制程的光刻設備，配備雙反射鏡物鏡，套刻精度達 10 納米，曝光區域最大為 3×3 平方毫米，每小時晶圓處理量（吞吐量）超過 5 片。

第二階段（2029-2032年）：推出支持28納米制程（有望拓展至14納米）的掃描式光刻設備，采用四反射鏡光學系統，套刻精度提升至 5 納米，曝光區域為26×0.5平方毫米，每小時吞吐量超過 50 片。

第三階段（2033-2036年）：目標實現10納米以下制程生產，采用六反射鏡配置，套刻對準精度達 2 納米，曝光區域最大為 26×2 平方毫米，設計每小時吞吐量超過 100 片。

在制程精度方面，這些設備預計可支持從65納米至9納米的芯片制程范圍，能夠滿足2025-2027年期間當前及未來眾多關鍵芯片層的制造需求。每一代設備都會在光學精度和掃描效率上有所提升，且據推測，其單位成本結構將顯著低于ASML的Twinscan NXE與EXE系列平臺。

總結與展望

總的來說，俄羅斯科學院的極紫外光刻設備路線圖展現了其在芯片制造自主化領域的雄心，整體非常樂觀。不僅有望降低對外部供應鏈的依賴，還可能為中小型晶圓廠及被排除在ASML生態之外的國家提供替代方案，打破全球光刻設備市場的高度集中格局。

如果項目成功落地，不僅將助力俄羅斯實現芯片制造的自給自足，還可能為全球芯片產業引入新的競爭變量。未來幾年，項目的技術驗證、產業鏈構建及實際性能表現將成為業界關注的焦點。

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